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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1193-1198.

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氩气流速对400 mm大直径磁场直拉单晶硅固液界面、热应力及氧含量的影响

李进;张洪岩;高忙忙;周锐;薛子文;梁森;李国龙;李海波;何力军   

  1. 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川,750021;银川隆基硅材料有限公司,银川,750021
  • 出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61366006);宁夏自治区2012科技支撑计划项目;2012宁夏留学回国人员择优资助项目;宁夏大学科技开发及应用基金(NDKF11-1)

Influence of Argon Flow Rate on the Solid/Liquid Interface, Thermal Stress and Oxygen Concentration in the 400 mm CZ Silicon with a Magnetic Field

  • Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要: 大直径化是太阳能光伏用单晶硅发展的趋势之一.由于炉体结构的增大,炉内气体流场的变化对晶硅生长过程产生了一定的影响.本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了氩气进口流速对固液界面,热应力和晶体氧含量的影响.结果表明,随氩气流速的增加,固液界面高度逐渐下降,当氩气流速为中等范围时,固液界面波动最低,有利于提高拉晶过程的稳定性;另一方面,三相交界处热应力最大值随氩气流速的增加而降低,固液界面热应力波动幅度随氩气流速的增加而增加,综合两方面考虑,确定采用中等氩气流速(0.9~1.5 m·s-1)工艺可有效避免断晶等缺陷的发生.同时,在中等氩气流速范围内,晶体中心处的氧含量下降至6.55×1017 atm/cm3(氩气流速为1.5m·s-1时),与低氩气流速时相比,氧含量降低了18;.

关键词: 单晶硅;氩气流场;固液界面;氧含量

中图分类号: