Cu薄膜生长过程的Monte Carlo模拟

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1263-1268.

Cu薄膜生长过程的Monte Carlo模拟

王炫力;陈冷

北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51171018)

Monte Carlo Simulation of Cu Thin Films Growth Process

WANG Xuan-li;CHEN Leng

Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用动力学晶格蒙特卡洛模型(Kinetic Lattice Monte Carlo,KLMC)模拟Cu薄膜的生长过程,讨论了基底温度、沉积原子数、单原子最大迁移步数和原子相互作用范围等参数对薄膜表面形貌的影响,并与实验结果进行了比较.结果表明:基底温度升高或沉积原子数增加时,沉积在基底上的原子逐步由众多各自独立的离散型分布向聚集状态过渡形成团簇,并且温度越低,团簇越趋于分散生长.当最大迁移步数减小或相互作用范围增大时,团簇亦趋于分散生长.

中图分类号:

O484

王炫力;陈冷. Cu薄膜生长过程的Monte Carlo模拟[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1263-1268.

WANG Xuan-li;CHEN Leng. Monte Carlo Simulation of Cu Thin Films Growth Process[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(5): 1263-1268.

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