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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1269-1273.

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掺P石墨烯结构和电子性质的第一性原理研究

唐斌;罗强;张强;伍振海;冉曾令   

  1. 西南石油大学理学院,成都,610500;电子科技大学通信与信息工程学院,成都,610054
  • 出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51205149);四川省教育厅重点项目(11ZA025)

First Principles Study on the Structure and Electronic Properties of P Doped Graphene

TANG Bin;LUO Qiang;ZHANG Qiang;WU Zhen-hai;RAN Zeng-ling   

  • Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要: 基于密度泛函理论第一性原理,在广义梯度近似下,本文研究本征石墨烯和掺杂不同浓度P的石墨烯结构和电子性质并发现本征石墨烯禁带宽度为零;对于P∶C掺杂比分别为1∶17、1∶7、1∶1的石墨烯,其P-C键长由0.142nm的C-C键分别增大为0.1629 nm、0.1625 nm、0.1751 nm,其对应带隙分别由零带隙变为0.28 eV、0.44 eV、1.21eV:费米能级逐渐下降.分析分波态密度后发现,在掺P石墨烯中主要为P原子的3p态电子影响其总态密度.

关键词: 第一性原理;石墨烯;电子性质;态密度

中图分类号: