AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (6): 1346-1350.

AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究

徐明升;胡小波;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2014-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904);国家自然科学基金(11134006,51321091,51323002);山东大学基本科研业务费资助项目(2014QY005)

Effect of AlGaN Nucleation Layer on the Stress and Dislocation of the GaN Film Grown on SiC Substrate

XU Ming-sheng;HU Xiao-bo;XU Xian-gang

Online:2014-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.

中图分类号:

O474

徐明升;胡小波;徐现刚. AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(6): 1346-1350.

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