当期目录

2014年 第43卷 第6期
刊出日期：2014-06-15

上一期    下一期

微下拉晶体光纤生长设备研制及YAG单晶生长

原东升;贾志泰;舒骏;李阳;董春明;陶绪堂

2014, 43(6):  1317-1322. 

摘要 ( 44 )   PDF (1730KB) ( 193 )  

相关文章 | 计量指标

介绍了一种新型单晶生长技术(微下拉:micro-pulling-down),并概述了该方法在Nd∶ YAG单晶光纤生长方面的应用及发展.率先在国内开展了微下拉单晶生长炉的研制工作,填补了该领域的空白.同时,生长了直径3mm,长度100 mm、300 mm的Nd∶ YAG单晶,晶体整体透明、内部无散射点,表现出了良好的单晶性,有望作为激光工作物质使用.

YBaNa(BO3)2晶体的助熔剂法生长与表征

张天真;李静;王继扬;张洋

2014, 43(6):  1323-1326. 

摘要 ( 9 )   PDF (669KB) ( 32 )  

相关文章 | 计量指标

采用助熔剂自发成核法,探索了生长YBaNa(BO3)2晶体的不同助熔剂体系,从中选出2Na2CO3-4H3BO3-BaCO3做助熔剂,生长了YBaNa(BO3)2晶体.采用X射线衍射(XRD),红外吸收光谱和透过光谱,差热失重分析对生长的晶体进行了表征.结果表明,晶体属于六方晶系,空间群为R3,晶胞参数为a=0.53382(2) nm,c=3.58303(19) nm.BO3-3基团存在于晶体结构中,晶体的紫外截止波长在208 nm左右,晶体在800℃时有明显的相变点.

Ho3+掺杂Sc2SiO5激光晶体生长与光谱性能研究

李璇;麻尉蔚;马凤凯;狄聚青;郑丽和;姜大鹏;苏良碧;杨秋红;徐军

2014, 43(6):  1327-1331. 

摘要 ( 14 )   PDF (1647KB) ( 41 )  

相关文章 | 计量指标

采用提拉法分别生长了具有高光学质量的0.5at;和1.0at;的Ho∶ Sc2SiO5(Ho∶ SSO)激光晶体.研究表明晶体空间群为C2/c,晶胞参数为a=0.99723 nm,b=0.64261 nm,c=1.16843 nm,β=103.9°.Ho3+在SSO基质中的分凝系数为0.82.Ho∶ SSO晶体在2085nm处发射截面为1.12×10-20 cm2,发射光谱呈现一个1850～2150nm的宽发射带.当粒子数反转比率β=0.25时,增益截面σg即开始出现正增益.综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶SSO晶体是一种有潜力的2μm波段激光介质.

泡生法生长蓝宝石晶体中的气泡分布

于国建;宗艳民;张志海;高玉强;胡小波;徐现刚

2014, 43(6):  1332-1335. 

摘要 ( 25 )   PDF (1152KB) ( 54 )  

相关文章 | 计量指标

气泡是蓝宝石晶体中的主要缺陷之一.本文中研究了采用泡生法生长蓝宝石晶体中气泡的俘获机理以及在晶体中的分布情况.研究结果表明气泡的分布与温场的结构相关,气泡产生的直接原因是结晶前沿较快的晶体生长速度.晶体中的气泡可以通过对生长速率的适当调整予以消除.

钨酸镉单晶的提拉法生长

张敬富;潘金根;娄丙谦;潘建国;陈红兵

2014, 43(6):  1336-1340. 

摘要 ( 9 )   PDF (1714KB) ( 37 )  

相关文章 | 计量指标

采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料.研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件.利用提拉法生长出尺寸为φ15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶.透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4单晶在可见光区域的透过率达70;左右,吸收边位于315 nm,荧光发射峰位于473.8 nm,即本征发光由蓝光组成.

ZnGeP2晶体轴向成分均匀性的XPS分析

陈成;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;杨登辉;曹礼强;刘伟

2014, 43(6):  1341-1345. 

摘要 ( 7 )   PDF (1646KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

通过改进ZnGeP2晶体的合成和生长工艺,获得了尺寸为φ24 mm×60 mm的ZnGeP2单晶体.采用X射线光电子能谱(XPS)对生长出的晶体轴向成分进行了分析.结果表明,晶体在籽晶、放肩和主体部分成分一致,在尾部存在X射线衍射(XRD)未能检测出的极少量的P和Ge的氧化物,说明生长出的ZnGeP2单晶体的轴向成分比较均匀.红外透过率测试显示,晶体的轴向各部分在3 ～8 μm波长范围内透过率均在56;以上,而尾部在近红外波段(1.3～2.6 μm)的吸收明显要高于其他各部分.

AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究

徐明升;胡小波;徐现刚

2014, 43(6):  1346-1350. 

摘要 ( 6 )   PDF (1659KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.

光学浮区法制备Ba1-xSrxTiO3晶体

韩文辉;王越;邸大伟;马云峰;梅晓平

2014, 43(6):  1351-1355. 

摘要 ( 10 )   PDF (1648KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

采用光学浮区法生长了尺寸为(6～8)mm×(40～ 80)mm的Ba1-xSrxTiO3晶体(x=0、0.01、0.016、0.02),并对其生长温度、旋转速度、生长速度等生长工艺参数进行了研究.实验过程中固液面稳定,X射线双晶摇摆曲线显示样品具有较好的晶体质量.XRD测试显示Sr2+的掺入能够抑制BaTiO3六方相的生成,BaTiO3四方相衍射峰向高衍射角方向移动.各组分晶体样品红外透过率超过80;.拉曼光谱显示存在峰值为489～496 cm-1的峰,这可以被认为是三方相的存在证据,这一变化应该为Sr2+的掺入所导致的.

(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶的生长和性能研究

吕正勇;施鹰;殷录桥;夏长泰;赛青林;狄聚青

2014, 43(6):  1356-1360. 

摘要 ( 10 )   PDF (1664KB) ( 39 )  

相关文章 | 计量指标

采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm.通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10 μm左右.在室温下,进行了发射光谱和荧光寿命的测试,发现随着Gd3+浓度的增加,发射光谱发生了红移,最大发射波长从555 nm移至570 nm,荧光寿命为65 ns附近,并测试了共晶荧光体与大功率蓝光芯片匹配所得的光色性能.

信息动态

2014, 43(6):  1360. 

摘要 ( 1 )   PDF (388KB) ( 10 )  

相关文章 | 计量指标

不同气氛退火对钨酸铅晶体光学性能的影响

向卫东;邵明国;顾国瑞;王昕;钟家松;梁晓娟

2014, 43(6):  1361-1366. 

摘要 ( 7 )   PDF (1743KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

为探究不同气氛退火处理对钨酸铅晶体光学性能的影响,对坩埚下降法生长的钨酸铅晶体分别在氧化气氛(O2)、惰性气氛(N2)、还原气氛(CO)下进行退火处理,测试了退火前后的透射光谱、吸收光谱、荧光光谱、光产额和衰减时间等光学性能参数.结果表明,N2气氛退火后钨酸铅晶体350 nm处的本征吸收略有降低而O2和CO气氛退火后略有增强,富O2气氛下退火的钨酸铅(PWO)晶体在420 nm处产生较强吸收峰.O2、N2气氛退火的钨酸铅晶体荧光光谱出现红移,CO气氛退火的钨酸铅晶体荧光强度得到明显改善,O2、N2、CO不同气氛退火的PWO晶体在1000 ns积分时间内的光产额分别为:10 p.e/MeV、25 p.e/MeV、38 p.e/MeV,衰减时间分别约为5.2 ns、4.5ns、4.4 ns.

温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体

倪友保;吴海信;黄昌保;程旭东;王振友;肖瑞春

2014, 43(6):  1367-1370. 

摘要 ( 11 )   PDF (1671KB) ( 41 )  

相关文章 | 计量指标

针对高温熔体生长的ZnGeP2 (ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度(945℃左右)生长出φ20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16 ～ 0.3 cm-1之间.但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究.

RE∶YAP(RE=Nd,Tm)晶体缺陷与光谱分析

李春;曾繁明;林海;郑东阳;杨晓东;刘贺;王丹;崔亚军;郑卫新

2014, 43(6):  1371-1375. 

摘要 ( 5 )   PDF (1653KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

采用提拉法生长Nd∶ YAP和Tm∶ YAP晶体,利用吸收和荧光光谱表征样品.结果表明:经真空退火,提高了晶体质量.Nd∶ YAP晶体在808 nm附近有较强的吸收,与商用激光二极管的发射波长匹配较好,获得了1064 nm荧光输出;Tm∶YAP晶体在790 nm附近有一定的吸收,在1.87 μm处的荧光峰对应于3F4→3H6能级之间的跃迁,有利于激光的高能量调Q输出.

化学气相沉积制备铜锌合金微米杆

靳英坤;李焕勇

2014, 43(6):  1376-1380. 

摘要 ( 3 )   PDF (1629KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

采用化学气相沉积的方法,以锌粉、硝酸铜为原料,在硅衬底上制备了铜锌合金微米杆.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱(EDS)对沉积产物的结构、形貌和成分进行了测试与表征.结果表明,生长的铜锌合金微米杆为金属间化合物Cu3Zn合金,为立方相结构,直径在0.1 ～5 μm之间,长度可达3～30μm.锌在铜锌合金微米杆的生长中起着至关重要的作用.铜锌合金微米杆的生长属于气固反应诱导下的气液固(VLS)生长机制,与经典的气液固(VLS)生长机制具有明显不同的特点.

Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

刘芳芳;何青;周志强;孙云

2014, 43(6):  1381-1386. 

摘要 ( 26 )   PDF (2177KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响.从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失.优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高.量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520～1100nm)的光子吸收损失大大减小.

提拉法YVO4+Nd∶YVO4复合晶体的生长研究

陈建彬;林羽;李国辉;陈建珊;姚元根

2014, 43(6):  1387-1391. 

摘要 ( 13 )   PDF (1634KB) ( 41 )  

相关文章 | 计量指标

采用提拉法成功生长出YVO4+Nd∶ YVO4复合晶体,相对于采用光胶方法键合的晶体具有免键合面洁净处理,免键合面抛光的优点.且不会出现类似键合过程中产生的色心、气泡、裂纹等缺陷.且较其它方法还省了工序,复合面结合稳固,操作方便简单,晶体光学性能优良等优点,本文对该方法进行了介绍.

La6-xSr4(SiO4)6F2∶xCe3+荧光粉的制备及发光性能研究

马少宇;廖立兵;郭庆丰;肖龙;张元;杨昊瑞

2014, 43(6):  1392-1395. 

摘要 ( 6 )   PDF (1147KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

采用高温固相法合成了一种新型荧光粉La6-x Sr4(SiO4)6F2∶xCe3+,并通过X射线粉末衍射(XRD)、荧光光谱、荧光寿命等测试手段,对其进行了性能测试及表征.通过分析该荧光粉的荧光光谱,初步研究了其发光性能.结果表明:产物晶体属于六方晶系,磷灰石结构;所得样品在紫外线照射后发蓝光,发射峰位于413 nm,Ce3+的掺杂浓度为10mol;时发光强度最强.

Ca1-xYxBi4Ti4O15铁电材料的结构和电性能研究

王斌;李丹洋;符小艺;何新华

2014, 43(6):  1396-1401. 

摘要 ( 7 )   PDF (1740KB) ( 37 )  

相关文章 | 计量指标

采用传统的固相反应法制备铋层结构铁电陶瓷材料Ca1-xYxBi4Ti4O15+x/2(x=0～0.1)(简称CYBT),研究了钇离子掺杂对CYBT陶瓷的烧结、晶相组成、显微形貌及电性能的影响.Y3+的A位取代,可以改善CYBT陶瓷的烧结性能,提高体积密度和瓷体致密度.Y3+的引入促进晶粒沿c轴方向生长,晶粒各向异性减小,室温介电常数增加.Y掺杂后离子半径差别和A空位浓度增加所产生的晶格畸变,使陶瓷的居里温度显著升高,当掺杂量x=0.10时,Tc升高了约80℃.Y掺杂显著降低了高温损耗,掺杂量x =0.075的样品表现出最好的压电性能,压电常数d33为15 pC/N.

LaMAl11O19(M=Mn,Co,Ni,Zn)陶瓷材料的制备及力学性能研究

王明月;白钰航;房明浩;闵鑫;刘艳改;吴小文;黄朝晖

2014, 43(6):  1402-1407. 

摘要 ( 11 )   PDF (1742KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

以Al(OH)3,La2O3,MnO,CoO,NiO,ZnO为原料,采用高温固相合成法,在1100～1650℃下保温5h,合成LaMAl11O19(M=Mn、Co、Ni、Zn)粉体.通过对合成产物的物相进行分析,确定单相LaMAl11O19粉体的最低合成温度为1600℃.研究表明,合成的LaMAl11O19具有板片状结构,晶粒大小因取代的过渡金属不同而有所差异,晶粒直径约为2 ～6 μm,厚度0.3～2 μm.在1650℃无压烧结5h后制备得到LaMAl11O19陶瓷材料,仍具有稳定的磁铅石形结构,其体积密度和抗折强度随过渡金属元素原子质量的增大(Mn＜ Co＜ Ni＜ Zn)呈现递增趋势.其中,过渡金属Zn取代Mg制得的LaZRAl11O19陶瓷材料具有较高的抗折强度和断裂韧性,分别为163.3 MPa和3.2 MPa·m1/2.

不同有机物模板作用下Bi2S3的制备与表征

吴雪梅;马海红;周正发;任凤梅;徐卫兵;孙海燕

2014, 43(6):  1408-1413. 

摘要 ( 10 )   PDF (1766KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

以硝酸铋为铋源、硫脲为硫源,分别以小分子有机物-巯基乙酸、柠檬酸及聚合物半导体-羧基化PPV(羧基化的聚对苯乙炔)为模板,利用水热反应法制备了不同形貌的Bi2S3微晶,并对产物用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外光谱(UV-Vis-Near-IR)等进行表征.结果表明,所制备的Bi2S3微晶为斜方晶系的辉铋矿;在巯基乙酸的作用下,Bi2S3排列成直径约为2～3 μm的花状微晶;在柠檬酸的作用下,Bi2S3晶体呈絮状,结成直径约为2μm左右的绒球;在羧基化PPV的作用下,Bi2S3构成直径约为2μm的绒球.通过由UV-Vis-Near-IR光谱绘制的(αhv)2～hv曲线图计算得到,在不同有机物模板作用下得到的Bi2S3微晶的能带间隙均大于无模板作用得到的Bi2S3,且羧基化PPV的作用效果优于小分子有机物,使能带间隙提高为1.64 eV.

模板晶粒定向生长技术制备(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的性能研究

李月明;谢俊;洪燕;王竹梅;沈宗洋;谢志翔

2014, 43(6):  1414-1419. 

摘要 ( 6 )   PDF (1718KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

以熔盐法和质子取代法制备的片状Nb2O5粉体为模板晶粒,固相法合成的(Na0.8K0.2)05Bi0.5TiO3 (NKBT)粉体为基料,分别采用固相压制成型(干法)和流延成型(湿法)工艺制备出具有较高取向度的织构化NKBT无铅压电陶瓷,研究了两种成型工艺对NKBT无铅压电陶瓷的显微结构、压电性能和介电性能的影响.结果表明:采用湿法工艺制备的织构陶瓷的各项性能优于干法工艺,采用湿法工艺在1150℃保温5h时,可以获得较高织构度(f=0.66)的NKBT无铅压电陶瓷,并具有优异的压电和介电性能:压电常数d33 =149 pC/N,介电常数ε3T3/ε0=912和平面机电耦合系数kp=29.4;.

高温高压金刚石衬底上的同质外延生长研究

严垒;马志斌;曹为;吴超;高攀;张田田

2014, 43(6):  1420-1424. 

摘要 ( 16 )   PDF (1214KB) ( 41 )  

相关文章 | 计量指标

在自主研发的小功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置上利用高温高压(HPHT)单晶金刚石片为衬底进行了金刚石同质外延生长的研究.研究了甲烷浓度、工作气压对金刚石生长速率的影响.测量了金刚石外延 生长过程中等离子体的发射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM)和数码相机对生长前后金刚石的形貌进行了表征,利用激光拉曼光谱对金刚石的质量进行了分析.结果表明:一定程度内,适当升高工作气压和甲烷浓度能够有效提高金刚石的生长速率;在外延生长过程会产生过多的丘状体,导致许多金刚石颗粒的产生,影响其生长时间和质量,通过生长、刻蚀相结合的方法能够有效延长生长时间,改善生长形貌;外延生长出的金刚石的激光拉曼图谱中金刚石1332 cm-1特征峰明显、尖锐,荧光背底低,非金刚石相特征峰较低.

Al掺杂Ⅷ型Sn基单晶笼合物载流子调制对其热电传输特性的影响

申兰先;李德聪;邓书康;孟代仪;晒旭霞;刘祖明

2014, 43(6):  1425-1430. 

摘要 ( 4 )   PDF (1335KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

本文采用Sn自熔剂法,通过调节Ga的起始含量(Ba∶ Ga∶ Al∶ Sn =8∶x∶6∶50;x=10,20,30)实现对载流子进行调制,制备出具有p型和n型传导的Ⅷ型Sn基单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明,随着Ga起始含量的增加,Al在化合物中的固溶度减小,材料的晶格常数也随之减小;x=10的样品Seebeck系数全部为负值,x=30的样品Seebeck系数全部为正值,而x=20的样品在450 K后由于本征激发Seebeck系数显著降低,在550 K附近由p型传导转变为n型传导;室温下具有p型传导的化合物具有较高的载流子浓度,但其迁移率显著降低,从而导致其相应的化合物具有较高的电阻率,因此通过对Ga起始含量的改变能够对化合物的载流子实现有效调控;此外,在300 ～600 K内均具有p型传导的样品室温下的载流子有效质量较n型样品的高;通过估算的热导率κ、实测电阻率和Seebeck系数,计算出x=30的p型单晶样品在457 K处获得最大ZT值0.86.

玻璃结合球形空心堆积SiC磨料的制备与性能

方文俊;万隆;王俊沙;胡伟达;刘会娟;时丹

2014, 43(6):  1431-1437. 

摘要 ( 7 )   PDF (2240KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

以R2O-ZnO-Al2O3-SiO2-B2O3体系玻璃为粘结剂,空心玻璃微珠为载体,240#SiC为磨料,稀释水玻璃为润湿粘结剂,采用滚球法制备了球形空心堆积SiC磨料.研究了粘结剂性质、润湿粘结剂用量和玻璃质粘结剂含量等对堆积磨料制备、形貌和结构的影响,并考察了用其制备的砂带的磨削性能.结果表明:玻璃质粘结剂量为5wt;,750℃温度下烧结,粘结剂产生的液相能对SiC磨料进行包裹和产生较强的粘结力.润湿粘结剂量为242 mL/kg干物料时,堆积磨料粒径在1.0～1.4 mm范围内成球率达到最大值为95;.空心球堆积SiC磨料砂带240#最大磨削比为71∶1,标准材料切除率ZW为0.89 mm3/mm·s.

Cz法单晶硅生长过程功率及流体流动的实验研究与数值模拟

金超花;朱彤

2014, 43(6):  1438-1443. 

摘要 ( 9 )   PDF (1362KB) ( 36 )  

相关文章 | 计量指标

本文建立了一个二维全局模型对120 KG单晶硅炉的热系统进行了数值模拟.通过对温场的单独模拟以及温场流场的耦合模拟得到了不同模型下晶体生长所需要的功率,并将两组模拟值与实验数据进行对比得到了加入流体流动后系统所产生的功率损耗.同时对晶体生长过程的分阶段模拟得到了晶体生长过程热系统温度分布的变化规律以及熔体流动的变化规律.结果显示,在整个晶体生长过程中流体流动所产生的功率损耗占实际功率的21.6;左右.

反应时间对钨酸铋材料形貌及其可见光催化性能的影响

邹斌;杨添;张羽溪;刘宇

2014, 43(6):  1444-1452. 

摘要 ( 11 )   PDF (2834KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

采用水热法在不同反应时间下制备了钨酸铋(Bi2WO6)碟状结构的光催化剂,对Bi2WO6的晶体结构、组成成分、形貌、光吸收特性和可见光催化活性等进行了表征.结果表明,反应时间影响Bi2WO6样品的形貌.水热反应6h时,Bi2WO6样品处于非晶态,随着反应时间的增加,Bi2WO6由二维盘状结构逐渐堆积成三维碟状结构,水热反应48 h后可形成完整的微米碟.180℃水热反应48 h后制备出的Bi2WO6纳米材料具有较高的羟基自由基生成速率和较强的可见光催化活性,反应时间过长或者过短都不利于Bi2WO6可见光催化性能的提高.同时分析了不同Bi2WO6样品的可见光催化效率存在差异的原因,并且提出了不同反应时间下Bi2WO6材料的微观生长机理.

基底温度对c-Si(100)面生长a-Si∶H薄膜结构特性影响的分子动力学模拟研究

周耐根;胡秋发;许文祥;吴小元;黄海宾;周浪

2014, 43(6):  1453-1459. 

摘要 ( 3 )   PDF (1786KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅(100)表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程.Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff势计算.结果得到:随着基底温度的升高,a-Si∶H薄膜表面粗糙度降低,内部致密度提高,H原子、Si-H键和悬挂键密度均减少.进一步分析发现,粗糙度和致密度随基底温度变化的原因是基底温度升高增大了表面原子的扩散能力;而H原子和Si-H键等含量随基底温度升高而下降是因为高温下Si-H弱键更易断键导致.悬挂键密度随基底温度升高而降低则主要是由于内部原子的晶化率增大引起.

维生素B6在修饰掺硼金刚石薄膜电极上的测定

张胜男;朱宁;陈凯玉;张瑜

2014, 43(6):  1460-1464. 

摘要 ( 9 )   PDF (1238KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

用直流等离子体喷射化学气相沉积法制备掺硼金刚石(BDD)薄膜,通过扫描电子显微镜表征薄膜的表面形貌.对比维生素B12、氨基黑10B和亚甲基蓝三种物质修饰BDD电极,选择电催化氧化能力最强的氨基黑10B修饰的BDD电极作为检测电极,其氧化峰电流与维生素B6浓度的对数在1.0×10-10～1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,且检测限为1.0×10-11 mol/L.该修饰电极可用于片剂中维生素B6含量的检测.

溶胶-凝胶/燃烧法制备锰锌铁氧体及其吸波性能研究

朱洪立;张玉军;于名讯;潘士兵;张宝芹;连军涛

2014, 43(6):  1465-1470. 

摘要 ( 10 )   PDF (1721KB) ( 38 )  

相关文章 | 计量指标

采用溶胶-凝胶法制备了锰锌铁氧体Mn0.3Zn0.7Fe2O4,确定了适用于锰锌铁氧体制备的工艺条件,并利用XRD、SEM、TG-DSC和网络分析仪等对样品进行了表征.结果表明:溶液pH值约为7.0,柠檬酸与金属离子的摩尔比为1∶1,煅烧温度为1050℃,煅烧时间为3h时,所制得的Mn0.3Zn0.7Fe2O4铁氧体呈现单一的锰锌铁氧体相,颗粒尺寸约为160 nm,并且分布均匀.制得的Mn0.3Zn0.7Fe2O4铁氧体兼具介电损耗能力和磁损耗能力,并且在12.5～ 15 GHz频率范围内反射损耗均达到了-10 dB,表现出良好的微波吸收性能.

芳基苄醚树枝配体取代酞菁锌-单壁碳纳米管复合物的合成及光诱导分子内电子转移

余志强;吴克勤;马冬冬;潘素娟;杨洪钦;彭亦如

2014, 43(6):  1471-1476. 

摘要 ( 6 )   PDF (2195KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

将芳基苄醚树枝配体酞菁锌四-3,5-(二-4-羧基苯甲氧基)-苯甲氧基]酞菁锌(DZnPc)与氨基化单壁碳纳米管(SWNTs-NH2)通过酰胺缩合反应合成了一种新型芳基苄醚树枝配体酞菁锌-单壁碳纳米管复合物(SWNTs-DZnPc).通过透射电镜(TEM)、热重分析(TGA)和拉曼光谱对SWNTs-DZnPc的结构进行了表征.采用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱法研究了SWNTs-DZnPc的光物理性质.结果表明,DZnPc是以共价键方式修饰在SWNTs-NH2表面;在光诱导下,纳米复合物发生分子内电子转移,电子从DZnPc传递到SWNTs.

(BixNa1-x)0.94Ba0.06TiO3陶瓷的结构和电学性能研究

王强

2014, 43(6):  1477-1480. 

摘要 ( 5 )   PDF (1654KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

通过固相反应法制备了(BixNa1-x)0.94Ba0.06TiO3(x=0.5,0.505,0.51,0.515)陶瓷,研究了Bi3+含量对陶瓷样品结构和性能的影响.结果表明,Bi3+含量的变化并不影响陶瓷样品的相结构,所有样品均为纯的钙钛矿结构.当x=0.515时,样品具有更细小的晶粒尺寸.Bi3+含量的变化对样品的压电性和铁电性影响很大,随着Bi3+含量的增加,陶瓷样品的压电和铁电性逐渐减小;当x=0.515时,压电和铁电性消失,铁电陶瓷转变为反铁电陶瓷.

以β-Sialon为过渡层的Si3N4-Al2O3梯度材料的微波烧结行为及性能

易文龙;马国斯;谢襄漓;王林江

2014, 43(6):  1481-1487. 

摘要 ( 7 )   PDF (2264KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

在粉末叠层基础上于1550℃,保温30 min的微波烧结条件下,合成了以β-Sialon为过渡层,Si3N4和Al2O3为端元组分的梯度材料.SEM分析显示烧结试样表面气孔少,晶粒之间排列紧密,结构均匀;XRD分析表明由于组分之间的固溶反应,梯度材料中β-Sialon相的z值在1～3范围内呈现规律性变化.各烧结试样的体积密度在2.9～3.5 g/cm3之间,相对密度在90; ～ 96;之间,热膨胀系数随着成份的变化而呈现出从Al2O3端到Si3N4端呈逐渐下降的趋势.

基于AAO纳米光栅的薄膜硅太阳能电池表面减反结构设计与仿真

秦飞飞;张海明;王彩霞;王旭;杨金梅

2014, 43(6):  1488-1492. 

摘要 ( 5 )   PDF (1677KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

提出了一种新型的表面带有阳极氧化铝(AAO)纳米光栅的薄膜硅太阳能电池表面减反结构.理论分析设计了AAO纳米光栅结构参数.用Tracepro光学软件研究了不同占空比和光栅常数对薄膜硅光吸收的影响,得到了最佳结构参数.在此基础上,运用FDTD软件进一步模拟了带有最佳AAO结构尺寸的太阳能电池吸收谱线.仿真结果表明在光栅常数为440 nm,光栅高度为75 nm,占空比为0.5结构尺寸下,AAO具有最强的加强光吸收的作用.

TBA/H2O溶液冷冻干燥制备多孔Al2O3支架及其生物性能

程喆;赵康;梁世倩;郭彩霞

2014, 43(6):  1493-1499. 

摘要 ( 7 )   PDF (1789KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

以叔丁醇/蒸馏水(TBA/H2O)结晶体为模板,用冷冻干燥法制备出片层孔及圆形孔的两种孔型氧化铝支架材料,利用SEM观察支架形貌,测试了其生物性能,系统研究浆料溶剂组分含量、冷冻温度对支架材料形貌影响,探讨支架孔结构对成骨细胞附着的影响.结果表明:纯水浆料的多孔陶瓷支架形貌为片层状;加入叔丁醇后,片层间距减少;浆料中叔丁醇含量为90wt;时,孔道呈片层孔及圆形孔的双孔状;纯叔丁醇浆料的陶瓷支架形貌为圆形孔.双孔形貌支架的开孔孔隙率及总孔隙率最高,分别为78.5;和81.8;.孔径随冷冻温度的降低而减小.体外模拟实验表明:片层孔及圆形孔的双孔支架材料有利于细胞在其表面生长,材料表面细胞结构清晰,铺展形态良好.多孔支架材料对细胞的吸附率随孔径的增大而增大.冷冻温度为-10℃时,支架的压缩强度为90.6 MPa,符合骨组织工程中支架材料的强度值要求.

SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度的研究

王栋;张银霞;郜伟;杨乐乐;苏建修

2014, 43(6):  1500-1503. 

摘要 ( 16 )   PDF (1675KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难.文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度进行了检测分析,并研究了研磨方式、工艺参数对损伤深度的影响及晶片上损伤深度的分布规律.结果表明,同样的研磨工艺参数条件下,固结磨料研磨SiC晶片损伤深度略小于游离磨料研磨晶片的损伤深度.固结磨料研磨时,随着磨料粒度从W7增大到W28,损伤深度由3.0 μm增大到4.7 μm.随着研磨压力从1 psi增大到3 psi,晶片损伤深度从4.1 μm增大到4.9 μm.在整个晶片上,损伤深度由中心向边缘沿径向逐渐增大,增大幅度约为0.6～1.0 μm.

Cr3+∶LiSrAlF6晶体的太赫兹-红外光谱研究

孙桂芳;王雅丽;钱霞;侯碧辉

2014, 43(6):  1504-1508. 

摘要 ( 7 )   PDF (1204KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

实验测量了室温下掺铬氟铝酸锶锂(Cr3+∶LiSrAlF6,LSAF)晶体0.1～3 THz的时域光谱,以及50～4000 cm-1范围内的红外光谱.结果分析表明:在0.2～1.5 THz波段LSAF晶体的吸收系数小于30 cm-1,折射率在0.5～1.5之间变化.红外波段内从30～1238 cm-1为声子吸收带,透射率几乎为零.最高的纵光学模声子的频率大约是1238cm-1,由此求出这支声子的Al-F键的力常数为5.0288 N·cm-1.

N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌纳米管场发射第一性原理研究

王欣;王发展;王哲;何银花;马姗;吴振

2014, 43(6):  1509-1514. 

摘要 ( 7 )   PDF (1707KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

运用以密度泛函理论为基础的第一性原理计算方法,研究了N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌(ZnO)单壁纳米管的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:共掺可增强体系帽端的稳定性;外加电场越大,各体系的态密度(DOS)分布越低,能隙和有效功函数越小,电荷向帽端聚集.DOS,最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO),Mulliken电荷和有效功函数分析结果一致表明,N-In共掺体系的场发射性能最优.

铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能影响

曾冬梅;慕银银;潘松海;刘皖;陈飞

2014, 43(6):  1515-1519. 

摘要 ( 5 )   PDF (1671KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

采用磁控溅射法制备CdZnTe先驱薄膜/金属Al膜的层叠结构,利用铝诱导技术制备CdZnTe薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射、Raman光谱仪和半导体特性分析系统,研究了铝膜溅射功率对铝诱导CdZnTe薄膜结构及性能的影响.结果表明:随着铝膜溅射功率的增加,铝诱导CdZnTe薄膜表面的薄膜结晶质量、晶粒尺寸和薄膜电阻率先增大后减小.铝诱导晶化的效果与铝膜溅射功率有关,当铝膜溅射功率达到100 W,CdZnTe薄膜的晶化诱导效果最显著,薄膜结晶质量最好,晶粒尺寸最大.

层状氢氧化镁铝的合成及其对生物柴油中游离脂肪酸吸附的研究

毛丽莉;王海增;汪清

2014, 43(6):  1520-1524. 

摘要 ( 5 )   PDF (1681KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

在水热条件下,用硫酸镁、硫酸铝、氢氧化钠和纯碱按照一定的比例制备层状氢氧化镁铝,并利用XRD、热重分析仪、红外光谱、扫描电镜等手段分析表征样品,研究了层状氢氧化镁铝在不同温度下的焙烧产物对生物柴油中游离脂肪酸的吸附性能.结果表明:制得的层状氢氧化镁铝对游离脂肪酸的吸附性能良好,在焙烧500℃的条件下吸附量可达到663 mg/g,并且可以焙烧再生.

不同类型宝石级金刚石生长过程中石墨的不同析出形式

李尚升;宋东亮;刘书强;王生艳;宿太超;胡美华;胡强;马红安;贾晓鹏

2014, 43(6):  1525-1528. 

摘要 ( 14 )   PDF (1148KB) ( 38 )  

相关文章 | 计量指标

在压力5.3 GPa、温度1603 K的FeNiCo(wt; 55∶ 29∶ 16)触媒中沿{111}面合成Ⅰb型及Ⅱa型宝石级金刚石过程中金刚石周围分别伴随有片状及粉末状石墨析出.这两种不同形态的石墨均会对金刚石生长产生不利影响.对这两种石墨进行XRD和SEM测试分析表明:生长Ⅰb型和Ⅱa型金刚石时所析出的石墨分别为再结晶石墨和微晶石墨.本文分析了这两种石墨析出原因的异同点.

镧掺杂混晶结构TiO2纳米粉体的制备及其光催化性能

和娇娇;杜慧玲;杜娴;刘俊

2014, 43(6):  1529-1534. 

摘要 ( 2 )   PDF (1749KB) ( 39 )  

相关文章 | 计量指标

以钛酸四丁酯为Ti源,采用溶胶-凝胶自蔓燃法制备了镧掺杂的La-TiO2(简写为LT)纳米粉体.利用X射线粉末衍射(XRD)、红外光谱(FIIR)、透射电子显微镜(TEM)等对掺杂型TiO2粉体的晶型结构与颗粒尺寸等进行表征.利用紫外-可见光吸收光谱(UV-vis)研究了H2O2改性、镧掺杂量以及混晶结构对TiO2纳米粉体降解甲基橙的影响.结果表明:镧掺杂混晶TiO2粉体的光催化活性明显优于未掺杂的锐钛矿TiO2粉体.当La3+掺杂量为0.5;,合成温度为475℃(金红石相含量为26.0;)时,得到的TiO2粉体光催化活性最好.H2O2的加入有助于TiO2光催化剂表面的电子-空穴对生成,提高光催化剂对甲基橙的降解率,当H2O2浓度为6;时,光照3h后,降解率达到了91.97;.

碳包覆Zn2SnO4锂电池负极材料的制备及电化学性能研究

姬晓旭;赵庆怀;王丽;王爱华

2014, 43(6):  1535-1539. 

摘要 ( 9 )   PDF (1211KB) ( 37 )  

相关文章 | 计量指标

利用Zn2SnO4纳米颗粒和葡萄糖为反应物,通过简单的水热法制备了碳包覆的Zn2SnO4纳米颗粒.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热重分析(TG)和拉曼光谱对样品的结构、形貌和性质进行了表征.XRD和SEM结果表明制备了立方尖晶石型Zn2SnO4纳米颗粒.TEM、TG和Raman结果表明制备了碳包覆的Zn2SnO4.电化学性能测试结果表明在200 mA/g的较大电流密度下,碳包覆Zn2SnO4纳米颗粒首次充放电容量分别为1429.2 mAh/g和737.7 mAh/g,库伦效率为51.6;.经过50次循环后放电容量保持374.8mAh/g,表现出良好的循环性能,优于纯Zn2SnO4纳米颗粒.碳材料的引入抑制电极材料体积膨胀同时提高了其导电性能.

熔盐法制备掺钕榍石

任雪潭;刘帅

2014, 43(6):  1540-1543. 

摘要 ( 6 )   PDF (1141KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

以CaCO3、TiO2、SiO2为基础原料,硫酸盐作为熔剂,采用熔盐法合成了榍石及掺钕榍石粉体.借助XRD和SEM研究了不同反应温度、料盐比及掺杂对反应过程及反应物相组成的影响结果:控制Na2SO4∶K2SO4摩尔比为1∶1,原料质量与熔盐比为1∶1 ～2,在950～ 1000℃可以实现榍石及其掺钕榍石的合成.对掺钕榍石,在不引入铝离子做电价补偿时,物相以榍石为主,含有少量钙钛矿相;引入铝离子做电价补偿时,物相主要以榍石和钙钛矿相形式存在,引入铝离子不利于掺钕榍石的形成.

电解液温度对二氧化钛纳米管阵列结构及光电性能的影响

林晓霞;刘佳;付德刚

2014, 43(6):  1544-1548. 

摘要 ( 8 )   PDF (1214KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

以氟化铵(NH4F)、乙二醇溶液为电解液,在不同的电解液温度(0～50℃)条件下,采用电化学阳极氧化法制备二氧化钛(TiO2)纳米管阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对TiO2纳米管阵列的形貌、结构和光学性能进行表征.结果表明,电解液温度高于20℃均能制备出纳米管阵列.光照下电解液温度40℃时制备的TiO2纳米管阵列具有最高光电流密度(Iph)0.2408 mA/cm2.以活性艳红X-3B为目标降解物,在室温、紫外光照射条件下考察了电解液温度对光催化活性的影响,结果显示电解液温度40℃时制备的TiO2纳米管阵列具有最高的光催化活性.

改进多元醇法合成超小超顺磁性Fe3O4纳米颗粒

肖旺钏;魏彦;张雪清;王仁章;张启卫;张丽华

2014, 43(6):  1549-1554. 

摘要 ( 5 )   PDF (1739KB) ( 41 )  

相关文章 | 计量指标

利用改进多元醇法,以无水FeCl3为铁源,3-氨基丙醇为碱性水解剂,聚丙烯酸为稳定剂,成功制备了水分散稳定的超小超顺磁性Fe3O4纳米颗粒.高分辨率透射电镜、X-射线粉末衍射和拉曼光谱分析证实合成的纳米粒子为Fe3O4,Zeta电位、热重和红外光谱分析证实表面包覆的有机物为聚丙烯酸.通过改变多元醇的链长,初步实现了纳米颗粒粒径在1～3 nm之间调控.

ZrO2含量对Ni-Co-ZrO2复合镀层显微硬度和耐磨性能的影响

孙万昌;佘晓林;侯冠群;赵坤;李攀;张峰;靖方飞;赵云倩

2014, 43(6):  1555-1560. 

摘要 ( 6 )   PDF (1796KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

以硫酸镍、硫酸钴和氧化锆为主要原料,采用脉冲沉积技术在Q235钢基体表面沉积了Ni-Co-ZrO2复合镀层,利用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪分别观察和表征了复合镀层的显微形貌、成分组成和相结构,并对Ni-Co-ZrO2复合镀层的显微硬度和耐磨性进行了研究.结果表明:ZrO2颗粒弥散分布于Ni-Co合金中,基体与镀层界面处无孔隙、裂纹等缺陷,镀层厚度约为60μm;镀态下Ni-Co-ZrO2复合镀层基质合金为晶态结构,主要生长晶面为Ni(111)和Co (110),XRD衍射图谱呈现出低强度、大峰宽和多晶向的相结构特征.随着镀层内ZrO2颗粒含量的增加,Ni-Co-ZrO2复合镀层的显微硬度呈现先提高后降低、磨损量先减少后增加的趋势,当ZrO2含量为20 g/L时,复合镀层的硬度最高、磨损量最少,磨痕形貌呈现出轻微磨损.

TiO2对自然冷却黄磷炉渣微晶玻璃析晶行为的影响

刘红盼;黄小凤;马丽萍;付建秋;覃扬颂;蒋明

2014, 43(6):  1561-1567. 

摘要 ( 6 )   PDF (1325KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

以自然冷却黄磷炉渣为主要原料,采用熔融法制备CaO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃,并借助DTA、XRD、SEM等分析了TiO2作为晶核剂对微晶玻璃析晶及其性能的影响规律.利用修正后的Johnson-Mehl-Avrami(JMA)方程初步计算微晶玻璃样品的析晶活化能E及晶体生长指数n.结果表明:自然冷却黄磷炉渣中固有的晶核剂可有效的促进CaO-Al2O3-SiO2系统的析晶,炉渣固有的TiO2可促进大量晶核的形成,晶化指数达到4.84,随着TiO2的加入,系统的析晶活化能由126.1483 kJ/mol增加到363.8206 kJ/mol,而晶化指数变为3.24.晶化机制由体积析晶变为二维析晶.主晶相的种类没有随TiO2量的增加而改变,均为硅灰石(CaSiO3)和钙铁辉石((Ca,Fe) SiO3).

TiO2/蛭石纳米复合物的制备及产物结构变化研究

罗利明;彭同江;孙红娟;李莉

2014, 43(6):  1568-1575. 

摘要 ( 4 )   PDF (2319KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

以TiOSO4为钛源,采用阳离子交换、原位水解、原位脱羟技术制备了TiO2/蛭石纳米复合物.采用XRD、FTIR、FSEM等对TiO2/蛭石纳米复合物制备过程产物包括聚合羟基钛离子-蛭石、水合氧化钛/蛭石复合物以及TiO2/蛭石纳米复合物的结构、微观形貌等进行了表征和研究.结果表明:在pH值较低时,TiOSO4溶液中的聚合羟基钛离子通过阳离子交换作用进入蛭石层间域中,随着pH值逐渐升高,进入层间域中的聚合羟基钛离子水解聚合形成水合氧化钛,蛭石的层间域被撑大,有序性结构被破坏;经900℃热处理后水合氧化钛脱水形成TiO2/蛭石纳米复合物;样品中TiO2含量随结束pH值的升高而增加,并均匀地插入蛭石的层间域中或分布在蛭石片层的表面;与纯TiO2纳米粉体相比较,TiO2/蛭石纳米复合物结构中TiO2在900℃焙烧后仍未出现金红石相,表明蛭石结构层对TiO2的晶相转变具有明显的阻滞作用.

ZSM-22、β和丝光沸石介孔改性对比研究

李洋洋;王颖敏;徐丽颖;刘金环;张园园;金英杰

2014, 43(6):  1576-1582. 

摘要 ( 8 )   PDF (2274KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

用碱-酸处理法对ZSM-22 (TON)、β(BEA)和丝光(MOR)型沸石进行介孔改性.研究沸石结构与介孔率、脱硅选择性、介孔生成效率的关系,定量阐述了不同沸石的脱硅反应选择性、改性过程的脱硅选择性及脱硅效率.结果表明,改性沸石具有微孔-介孔结构和介孔尺度分布均一化特性.按沸石结构比较,脱硅反应选择性和改性过程脱硅选择性均满足MOR＜ BEA≤TON,且改性过程脱硅选择性均大于90.6;;与比表面相关的脱硅效率:TON＜MOR＜ BEA.沸石的骨架密度和生成焓绝对值越小、微孔可接近性越好,介孔率和脱硅效率越高.BEA型改性沸石的比表面、比孔容和介孔孔径分别为468.2 m2/g、0.66 cm3/g和5.6nm.

光子晶体缺陷中掺入增益介质的小信号增益特性

钟远聪

2014, 43(6):  1583-1587. 

摘要 ( 7 )   PDF (1693KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

详细推导了光在单层增益介质传播的传输矩阵,得到增益介质复折射率的具体表示形式.利用含增益介质的传输矩阵法研究在单缺陷一维光子晶体的缺陷层中掺入增益介质的小信号增益特性,分析了小信号增益受参量变化的影响规律.结果表明:在光子晶体缺陷层掺入一定增益系数的增益介质,当缺陷层两侧存在一个相匹配的高低折射率材料周期排列层数时,得到的小信号增益最大;否则,小信号增益减弱.增益系数小,要获得最大的小信号增益时,相匹配的介质排列周期层数就多,反之亦然.

三元稀土配合物Ln(5-Cl-SA)3(Phen)2的合成、晶体结构和荧光性质

朱文庆;李卓;瞿芳;陈浩军;王娟

2014, 43(6):  1588-1593. 

摘要 ( 7 )   PDF (1282KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

以才/乙醇/乙腈为溶剂,采用溶剂热法,合成了两个结构新颖的异质同晶稀土配合物Ln (5-Cl-SA)3(Phen)2(Ln=Nd(1)、Ho(2),5-Cl-SA=5-氯水杨酸,Phen=邻菲罗啉).利用X-射线单晶衍射(SCXRD)、元素分析(EA)、红外光谱(FTIR)、热重分析(TG)、荧光分光光度法(FS)等对其结构和光学性质进行了分析与表征.结果表明,两种稀土配合物均为单斜晶系、P21/c空间群,其中钕配合物(1)为十配位的双帽四方反棱柱构型,由于镧系收缩效应的影响,钬配合物(2)为九配位的三帽三棱柱构型,且两种配合物均具有良好的荧光性质.