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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (6): 1381-1386.

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Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

刘芳芳;何青;周志强;孙云   

  1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
  • 出版日期:2014-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61144002);河北省自然科学基金(F2012202075)

Effects of Ga-source Temperature on Properties of Cu(In, Ga) Se2 Thin Films and Solar Cell Fabricated by Three-step Co-evaporation Technique

LIU Fang-fang;HE Qing;ZHOU Zhi-qiang;SUN Yun   

  • Online:2014-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响.从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失.优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高.量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520~1100nm)的光子吸收损失大大减小.

关键词: CIGS薄膜;太阳电池;Ga梯度分布;二极管特性

中图分类号: