硫化镓钡合成、生长及性能研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (7): 1595-1601.

硫化镓钡合成、生长及性能研究

郭以峰;陈炜冬;林新松;周宇乔;叶宁

中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002

出版日期:2014-07-15 发布日期:2021-01-20

Synthesis, Growth and Properties of BaGa4S7

GUO Yi-feng;CHEN Wei-dong;LIN Xin-song;ZHOU YU-qiao;YE Ning

Online:2014-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用硫过量双温区摇摆炉合成法来稳定合成BaGa4 S7 (BGS)多晶,并用此方法合成出的原料利用坩埚下降法生长BGS单晶.BGS的紫外和红外吸收边分别为350 nm和13.7 μm.在50℃时,它在a-,b-和c-方向的热导率分别为1.34 W/(m·K),1.58 W/(m·K)和1.68 W/(m·K).在1.064 μm、2.1 μm和9.85 μm时,它的激光损伤阈值分别为1.2 J/cm2,7.15 J/cm2和26.2 J/cm2.当泵浦光源在2.2 μm左右变化时,非临界相位匹配OPO输出波长在6～10μm之间.

中图分类号:

O782

郭以峰;陈炜冬;林新松;周宇乔;叶宁. 硫化镓钡合成、生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(7): 1595-1601.

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