Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (7): 1657-1661.

Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究

李峰;杨莺;李碧珊;陈进;邢青青;侯志斌

西安理工大学自动化与信息工程学院,西安,710048

出版日期:2014-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51207128,51177134);陕西省教育厅基金(00K1310)

Research on the Effect and Stability of Sulfur-passivated Si(100) Surface

LI Feng;YANG Ying;LI Bi-shan;CHEN Jin;XING Qing-qing;HOU Zhi-bin

Online:2014-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究.对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV.少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强.

中图分类号:

TN305.2

李峰;杨莺;李碧珊;陈进;邢青青;侯志斌. Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(7): 1657-1661.

LI Feng;YANG Ying;LI Bi-shan;CHEN Jin;XING Qing-qing;HOU Zhi-bin. Research on the Effect and Stability of Sulfur-passivated Si(100) Surface[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(7): 1657-1661.

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