组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (7): 1781-1787.

组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究

刘旭焱;姬晓旭;王爱华;张帅;秦怡;李根全

南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳,473061

出版日期:2014-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
Natural Science Foundation of China(61306007);Scientific Research Key Project of Henan Province Education Department(14A510004);Key Scientific and Technological Project of Henan Province(132102210048);Special Project of Nanyang Normal University(ZX2012017)

Fabrication of High Ge Content SGOI by Component-controlled Ge Condensation

LIU Xu-yan;JI Xiao-xu;WANG Ai-hua;ZHANG Shuai;QIN Yi;LI Gen-quan

Online:2014-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔.本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品.结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5;.综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利.

中图分类号:

刘旭焱;姬晓旭;王爱华;张帅;秦怡;李根全. 组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(7): 1781-1787.

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