PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (9): 2258-2264.

PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征

赵鸣;韩佳;杨敏;乔凯;陆干祥

内蒙古科技大学,内蒙古自治区白云鄂博多金属资源综合利用重点实验室,包头014010;内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头014010;内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头,014010

出版日期:2014-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
“内蒙古自治区白云鄂博矿多金属资源综合利用”创新团队专项基金;内蒙古科技大学大学生创新基金

Microstructure and Non-linearity Characterization of ZnVTiO Based Varistor Ceramics Doped with PrMnO3 Typed Precursor

ZHAO Ming;HAN Jia;YANG Min;QIAO Kai;LU Gan-xiang

Online:2014-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4h制备了0～0.3mol; PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2(ZnVTiO)基压敏陶瓷.在此基础上,采用XRD、SEM+ EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性.研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3(VO4)2常见第二相出现以外,还生成了Zn2TiO4、PrVO4两种颗粒相.Ti除了可以使样品晶粒尺寸出现大小两极分化之外,还通过形成Zn2TiO4颗粒相阻碍晶粒生长.PrVO4的含量随前驱体含量的提高而逐渐增加,其对烧结有轻微阻碍作用.0.05; PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷非线性最佳,非线性系数为23,压敏电压为154.1V,漏电流为19.6 μA.

中图分类号:

TM22

赵鸣;韩佳;杨敏;乔凯;陆干祥. PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(9): 2258-2264.

ZHAO Ming;HAN Jia;YANG Min;QIAO Kai;LU Gan-xiang. Microstructure and Non-linearity Characterization of ZnVTiO Based Varistor Ceramics Doped with PrMnO3 Typed Precursor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(9): 2258-2264.

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