Er∶GaN微纳米晶发光性能研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (9): 2270-2275.

Er∶GaN微纳米晶发光性能研究

高崴崴;王晓丹;韩佰祥;莫亚娟;曾雄辉;徐科

苏州科技学院物理科学与技术系,苏州,215009;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123

出版日期:2014-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306004,51002179,11247023,51272270);江苏省自然科学基金(BK20130263);中国科学院功能开发项目(yg2012093)

Investigation on Luminescent Properties of Er∶GaN Micro-Nano Crystals

GAO Wei-wei;WANG Xiao-dan;HAN Bai-xiang;MO Ya-juan;ZENG Xiong-hui;XU Ke

Online:2014-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为lat;的Er∶GaN微纳米晶材料.对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征.结果表明:Er∶ GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相.退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好.退火处理后出现了Er3+相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰.在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶ GaN微纳米晶相同的发光峰.

中图分类号:

TN304

高崴崴;王晓丹;韩佰祥;莫亚娟;曾雄辉;徐科. Er∶GaN微纳米晶发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(9): 2270-2275.

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