微晶硅薄膜表面粗糙度的演化过程分析

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (9): 2384-2388.

微晶硅薄膜表面粗糙度的演化过程分析

李新利;马战红;任凤章;许荣辉;柳勇

河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳,471023

出版日期:2014-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河南省科技创新人才计划(144200510001);国家自然科学基金(51201061)

Study on the Evolution of Microcrystalline Silicon Thin Film Surface Roughness

LI Xin-li;MA Zhan-hong;REN Feng-zhang;XU Rong-hui;LIU Yong

Online:2014-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备了沉积时间系列的微晶硅薄膜.采用椭圆偏振光谱仪(SE)和原子力显微镜(AFM)表征薄膜表面粗糙度,分析了表面粗糙度随沉积时间的演化行为.讨论了这两种测量手段在分析薄膜表面粗糙度时的差异.结果表明,采用SE拟合得到的表面粗糙度数值要大于采用AFM直接测量得到的结果.产生差异的原因,一是由于两种测量手段的测量机制不同;二是由于薄膜的结构不均匀导致薄膜表面形貌差异.另外,还发现这两种测量手段得到的表面粗糙度数值之间存在线性关系.

中图分类号:

O484.1

李新利;马战红;任凤章;许荣辉;柳勇. 微晶硅薄膜表面粗糙度的演化过程分析[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(9): 2384-2388.

LI Xin-li;MA Zhan-hong;REN Feng-zhang;XU Rong-hui;LIU Yong. Study on the Evolution of Microcrystalline Silicon Thin Film Surface Roughness[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(9): 2384-2388.

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