LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (1): 19-23.

LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究

朱登华;李旺;刘石勇;牛新伟;杜国平

南昌大学材料科学与工程学院,南昌,330031;浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州310053;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

出版日期:2015-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61366004);国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401)

Fabrication and Properties of ZnO∶B Transparent Conductive Films on Textured Monocrystalline Silicon Wafer Substrates by LPCVD Method

ZHU Deng-hua;LI Wang;LIU Shi-yong;NIU Xin-wei;DU Guo-ping

Online:2015-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响.结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现“类金字塔”的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200 ～ 500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28 Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15;明显降低至5;左右,表现出优异的光学减反性能.

中图分类号:

O484

朱登华;李旺;刘石勇;牛新伟;杜国平. LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 19-23.

ZHU Deng-hua;LI Wang;LIU Shi-yong;NIU Xin-wei;DU Guo-ping. Fabrication and Properties of ZnO∶B Transparent Conductive Films on Textured Monocrystalline Silicon Wafer Substrates by LPCVD Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(1): 19-23.

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