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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (1): 61-65.

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硒化锌的化学机械抛光研究

吴传超;安永泉;王志斌;杨常青;张瑞   

  1. 山西省光电信息与仪器工程技术研究中心,太原,030051;山西省光电信息与仪器工程技术研究中心,太原030051;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051
  • 出版日期:2015-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国际科技合作项目(2013DFR10150)

Study on the Chemical Mechanical Polishing of ZnSe

WU Chuan-chao;AN Yong-quan;WANG Zhi-bin;YANG Chang-qing;ZHANG Rui   

  • Online:2015-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用化学机械抛光(CMP)的方法,自制抛光液作为研磨介质,对(50×50×1.5)mm3硒化锌(ZnSe)晶片抛光.通过分析抛光液的pH值、抛光盘转速、抛光液的磨料浓度、压力、抛光时间和抛光液流量等参数对CMP的影响,组合出最佳工艺参数,并通过原子力显微镜和平晶测试方法对最佳工艺参数获得的ZnSe晶片进行测试,实验结果显示,ZnSe晶片抛光后的表面粗糙度Ra为0.578 nm,平面面形误差小于1.8 μm.

关键词: ZnSe晶片;化学机械抛光;表面粗糙度

中图分类号: