铝诱导非晶硅薄膜晶化动力学研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (1): 85-89.

铝诱导非晶硅薄膜晶化动力学研究

张力元;段良飞;杨雯;杨培志;邓双;涂晔;陈小波

云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

出版日期:2015-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金联合基金(U1037604)

Crystallization Kinetics of Aluminum-induced Amorphous Silicon Thin Films

ZHANG Li-yuan;DUAN Liang-fei;YANG Wen;YANG Pei-zhi;DENG Shuang;TU Ye;CHEN Xiao-bo

Online:2015-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为探讨其晶化过程及动力学机理,本文采用磁控溅射技术制备Al/Si薄膜,并利用快速光热退火制备微晶硅.通过采用不同的衬底温度及对铝膜进行退火处理,探究其晶化动力学过程.利用拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征.结果表明:退火及衬底加热均能在界面形成非共融的硅铝化合物;延长退火时间能使Al/Si界面充分扩散,达到成核条件.较大的铝晶粒及其择优取向,能有效改善铝诱导晶化效果.

中图分类号:

O484

张力元;段良飞;杨雯;杨培志;邓双;涂晔;陈小波. 铝诱导非晶硅薄膜晶化动力学研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 85-89.

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