水浴温度对CdS薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3365-3369.

水浴温度对CdS薄膜性能的影响

张亚飞;张宁;余新平;曹慧

北京四方继保自动化股份有限公司,北京,100085

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20

Effects of Temperature of Chemical Bath Deposition on the Properties of CdS Thin Films

ZHANG Ya-fei;ZHANG Ning;YU Xin-ping;CAO Hui

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用化学水浴法,以不同水浴温度在玻璃衬底上沉积CdS薄膜并制备CIGS薄膜太阳能电池,研究了水浴温度对CdS薄膜和CIGS太阳能电池性能的影响.结果表明:水浴温度对CdS薄膜的致密性、沉积速率、透过率和成分比率都有影响.在65-80℃之间制备的CdS薄膜均匀致密且透过率高,可作为CIGS太阳能电池的缓冲层;另外,CdS缓冲层的厚度对CIGS电池的性能影响显著,较薄的CdS缓冲层能够增加CIGS电池在400-500 nm波段对光线的吸收,提高CIGS电池的短路电流.

中图分类号:

O484

张亚飞;张宁;余新平;曹慧. 水浴温度对CdS薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3365-3369.

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