ZnO纳米锥场发射效应因子计算及其第一性原理研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3692-3698.

ZnO纳米锥场发射效应因子计算及其第一性原理研究

何银花;王发展

西安建筑科技大学材料与矿资学院,西安,710055;西安建筑科技大学材料与矿资学院,西安710055;西安建筑科技大学机电工程学院,西安710055

出版日期:2015-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
十二五期间国家科技支撑计划项目(2011BAE31B02);陕西省自然科学基础研究计划重点项目(2011J2009)

Field Emission Effect Calculation and First-principles Study of ZnO Nanocones

HE Yin-hua;WANG Fa-zhan

Online:2015-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 建立ZnO-NC(氧化锌纳米锥)数学模型,对静电场中其尖端的电势和电场进行数值计算,得到场发射效应因子表达式为β=H/8πε0·h/d(其中h和d分别为ZnO-NC的高度和尖端直径);在此基础上,采用第一性原理计算方法,进一步研究了不同高度ZnO-NC的场发射性能,结果表明:在ZnO-NC结构稳定的情况下,随着h的增加其尖端场发射效应因子β增大,根据DOS(态密度)、电子密度、Mulliken电荷、能隙及有效功函数的计算,可知h对尖端场发射性能影响显著,通过控制ZnO-NC的高度可有效提高其场发射性能.

中图分类号:

O649

何银花;王发展. ZnO纳米锥场发射效应因子计算及其第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(12): 3692-3698.

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