AgGa0.2In0.8Se2晶体小温度梯度生长与性质表征

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 306-310.

AgGa0.2In0.8Se2晶体小温度梯度生长与性质表征

袁泽锐;唐明静;张羽;窦云巍;方攀;尹文龙;康彬

中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳,621900;四川省新材料研究中心,成都,610200

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中物院高能激光科学与技术重点实验室基金(HEL2013-08);中国工程物理研究院化工材料研究所科技创新基金项目(KJCX-201308)

Growth and Performance Characterization of AgGa0.2In0.8Se2 Crystal under Low Temperature Gradient Condition

YUAN Ze-rui;TANG Ming-jing;ZHANG Yu;DOU Yun-wei;FANG Pan;YIN Wen-long;KANG Bin

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用单温区机械振荡法合成出高纯单相AgGa0.2In0.8Se2多晶,单次合成量超过400 g;DSC测试结果显示其熔点为782℃,结晶温度为771℃.利用坩埚下降法在小温度梯度(2℃/cm)下生长出尺寸为φ25 mm× 75 mm高品质无开裂AgGa0.2In0.8Se2单晶.解离面(112)面摇摆曲线半峰宽为0.056°.厚度为3 mm双面抛光的(112)面晶片在1.5～18 μm波段透过率为65.0; ～ 67.5;,表明所生长AgGa0.2In0.8Se2晶体具有较低的吸收系数,为0.01 ～0.1之间.

中图分类号:

袁泽锐;唐明静;张羽;窦云巍;方攀;尹文龙;康彬. AgGa0.2In0.8Se2晶体小温度梯度生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 306-310.

YUAN Ze-rui;TANG Ming-jing;ZHANG Yu;DOU Yun-wei;FANG Pan;YIN Wen-long;KANG Bin. Growth and Performance Characterization of AgGa0.2In0.8Se2 Crystal under Low Temperature Gradient Condition[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(2): 306-310.

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