转晶法KDP单晶生长晶面溶质浓度场模拟

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 342-347.

转晶法KDP单晶生长晶面溶质浓度场模拟

周川;李明伟;尹华伟;宋洁;胡志涛;王邦国

重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室,重庆400030

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51176208,51476014)

Numerical Simulations of Solute Distribution on the Crystal Surface for Growth of KDP Single Crystal by Rotating-crystal Method

ZHOU Chuan;LI Ming-wei;YIN Hua-wei;SONG Jie;HU Zhi-tao;WANG Bang-guo

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对转晶法生长KDP单晶过程,进行了流动与物质输运数值模拟,以获得生长过程中晶面溶质浓度(过饱和度)的变化规律.文中展示了晶体表面浓度分布随时间的变化过程;分析了不同转速和晶体尺寸,对晶面时均浓度场的影响.结果表明,转速越快,晶体表面过饱和度越高;晶体尺寸对其表面过饱和度的大小和分布也有较大影响.此外,由于空间上不对称,Z向和Y向晶面过饱和度分布有较大差异.在晶体处于静止或低转速,自然对流可能会对晶体表面的过饱和度分布产生影响.

中图分类号:

周川;李明伟;尹华伟;宋洁;胡志涛;王邦国. 转晶法KDP单晶生长晶面溶质浓度场模拟[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 342-347.

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