铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 368-373.

铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究

柯笑晗;陈云琳;朱亚彬;范天伟

北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所,北京,100044

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61178052);教育部博士点基金(20130009110008)

Photoelectrical Properties of ITO Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering Method on LiNbO3 Substrate

KE Xiao-han;CHEN Yun-lin;ZHU Ya-bin;FAN Tian-wei

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38;,平均透光率比LN衬底提高了1.1;.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.

中图分类号:

O484

柯笑晗;陈云琳;朱亚彬;范天伟. 铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 368-373.

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