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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (3): 740-745.

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Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能

刘涛;赵小如;金宁   

  1. 商洛学院电子信息与电气工程学院,商洛,726000;西北工业大学理学院应用物理系,西安,710072
  • 出版日期:2015-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51172186,51302218)

Synthesis and Photoelectric Properties of Sn-Al Co-doped ZnO Films

LIU Tao;ZHAO Xiao-ru;JIN Ning   

  • Online:2015-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用溶胶凝胶法在普通载玻片上制备了Sn-Al共掺杂ZnO薄膜(ZASO薄膜).利用XRD、扫描电子显微镜、霍尔测试仪、双电测四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等设备,研究了Sn-Al掺杂浓度、预烧温度对氧化锌薄膜的晶体结构和光电性能的影响.结果表明:预烧温度为500℃,Sn、Al掺杂浓度分别为1.0at;时,得到的ZASO薄膜的综合光电性能最好,晶粒尺寸较大,方块电阻可达3.3 kΩ/□,光学透过率达92.9;.

关键词: 溶胶凝胶法;Sn-Al掺杂ZnO薄膜(ZASO);掺杂浓度;预烧温度

中图分类号: