溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 857-862.

溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究

时彬彬;闵嘉华;梁小燕;张继军;王林军;邢晓兵;段磊;孟华;杨升

上海大学电子信息材料系,上海,200444

出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11275122,51472155,11375112);上海市科委重点项目(11530500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096)

Fabrication and the Properties of Cd0.9Zn0.1Te Crystal by Traveling Solvent Melting Zone Method

Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.

中图分类号:

时彬彬;闵嘉华;梁小燕;张继军;王林军;邢晓兵;段磊;孟华;杨升. 溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 857-862.

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