欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 872-878.

• • 上一篇    下一篇

移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究

梁巍;王林军;张继军;秦凯丰;赖建明;吴文其   

  1. 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072
  • 出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    National Natural Science Foundation of China(11275122,51472155,11375112)

Characterization of CdMnTe and CdZnTe Crystals Grown by Traveling Heater Method

LIANG Wei;WANG Lin-jun;ZHANG Ji-jun;QIN Kai-feng;LAI Jian-ming;WU Wen-qi   

  • Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×1017 atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te (CMT)和Cd0.9Zn0.1Te (CZT)单晶.生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×109 ~ 6.2×1010 Ω·cm.CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23.富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4 ~ 14.4 ppm范围内.红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5 ~24 μm,浓度为105 cm-3.除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大.制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2;和24.6;.

关键词: 碲锰镉;碲锌镉;移动加热器法;电阻率

中图分类号: