硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 933-938.

硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响

乔治;解新建;刘辉;梁李敏;郝秋艳;刘彩池

河北工业大学材料学院,天津300130;石家庄铁道大学数理系,石家庄050043;河北工业大学材料学院,天津,300130

出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划(Z2010304)

Influcence of Boron Doping on Microstructure of nc-Si∶H Thin Films for SHJ Solar Cells

QIAO Zhi;XIE Xin-jian;LIU Hui;LIANG Li-min;HAO Qiu-yan;LIU Cai-chi

Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3;.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1;的电池.

中图分类号:

TM914

乔治;解新建;刘辉;梁李敏;郝秋艳;刘彩池. 硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 933-938.

QIAO Zhi;XIE Xin-jian;LIU Hui;LIANG Li-min;HAO Qiu-yan;LIU Cai-chi. Influcence of Boron Doping on Microstructure of nc-Si∶H Thin Films for SHJ Solar Cells[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(4): 933-938.

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