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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 981-987.

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氩氧比对磁控溅射ZnO薄膜的压电响应与极化特性的影响

苏林;杨保和;王芳;李翠平;戴玮   

  1. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津300072;天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津300384;天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津,300384;天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072
  • 出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA030801);国家自然科学基金(50972105);天津市高等学校科技发展基金(2006BA31)

Influence of the Ar∶ O2 Molar Ratio on the Piezoresponse and Polarization Characteristics of Megnetron Sputtered ZnO Thin Films

SU Lin;YANG Bao-he;WANG Fang;LI Cui-ping;DAI Wei   

  • Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 保持总的工作气压不变,在不同氩氧比条件下,采用射频磁控溅射法在铝电极层上制备了ZnO薄膜.用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分析了ZnO薄膜的择优取向、表面形貌和压电响应,并通过垂直PFM(VPFM)和水平PFM(LPFM)相位图研究了ZnO晶粒的极化特性.结果表明,氩氧比对ZnO薄膜的晶体结构和压电特性有显著影响,其中在氩氧比1∶1的条件下制备的ZnO薄膜具有最大的VPFM振幅和最佳的极化取向一致性.

关键词: 氩氧比;磁控溅射;ZnO薄膜;压电响应;极化取向

中图分类号: