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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (6): 1504-1508.

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无籽晶化学气相法生长ZnO晶体

胡永琴;曾体贤;陈太红;王茂州;彭丽萍;王雪敏;吴卫东   

  1. 西华师范大学物理与电子信息学院,南充637009;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳621900;西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637009;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳,621900
  • 出版日期:2015-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国博士后科学基金(2013M542294);四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133);西华师范大学基本科研项目(2013C008)

Growth of ZnO Single Crystal by Unseeded Chemical Vapor Transport Method

HU Yong-qin;ZENG Ti-xian;CHEN Tai-Hong;WANG Mao-zhou;PENG Li-pin;WANG Xue-min;WU Wei-dong   

  • Online:2015-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用化学气相法自发成核的方式生长出φ4mm×5 mm ZnO单晶体.分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿(锥角约为35°),让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为(002)面,其回摆曲线半峰宽为18arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO(001)的Zn面,位错缺陷密度为103 cm-2量级.晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃迁;紫外透过率在450~1000 nm内达65;,截止波长为390 nm,对应禁带宽度约为3.12 eV.结果表明,采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好,质量较高.

关键词: ZnO;无籽晶化学气相输运;透过率

中图分类号: