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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (6): 1516-1522.

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射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

王秀娟;司嘉乐;杨德林;谷锦华;卢景霄   

  1. 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
  • 出版日期:2015-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050501)

Preparation of ITO Thin Films by RF Magnetron Sputtering at Low Temperature

WANG Xiu-juan;SI Jia-le;YANG De-lin;GU Jin-hua;LU Jing-xiao   

  • Online:2015-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4;.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.

关键词: ITO薄膜;射频磁控溅射;电阻率

中图分类号: