Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (6): 1569-1574.

Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究

莫亚娟;王晓丹;曾雄辉;高崴崴;王建峰;徐科

苏州科技学院物理系,苏州,215009;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123

出版日期:2015-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306004,51002179,11247023,51272270);江苏省自然科学基金(BK20130263);中国科学院功能开发项目(yg2012093);江苏高校优势学科建设工程资助项目;苏州科技学院氧化物薄膜材料与光学信息协同创新中心项目;苏州纳米科技协同创新中心项目

Study on the Mechanism of Cathode Fluorescence of Er Ions Implanted GaN Thin Films

MO Ya-juan;WANG Xiao-dan;ZENG Xiong-hui;GAO Wei-wei;WANG Jian-feng;XU Ke

Online:2015-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理.深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件.结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象.

中图分类号:

O484

莫亚娟;王晓丹;曾雄辉;高崴崴;王建峰;徐科. Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(6): 1569-1574.

MO Ya-juan;WANG Xiao-dan;ZENG Xiong-hui;GAO Wei-wei;WANG Jian-feng;XU Ke. Study on the Mechanism of Cathode Fluorescence of Er Ions Implanted GaN Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(6): 1569-1574.

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