成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (8): 2123-2129.

成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响

孙成真;贾志刚;尚林;孙佩;余春燕;张华;李天保

太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室,太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024

出版日期:2015-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61475110,61404089,21471111);山西省自然科学基金(2014021019-1,2014011016-6);山西省科技创新重点团队(2012041011)

Effect of Nucleation Layer Temperature on the Crystal Quality of Undoped GaN Epitaxial Thin Films

SUN Cheng-zhen;JIA Zhi-gang;SHANG Lin;SUN Pei;YU Chun-yan;ZHANG Hua;LI Tian-bao

Online:2015-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对GaN外延薄膜晶体质量的影响.结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的GaN外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度.过低或过高的成核温度都会导致GaN外延层的晶体质量和光电性能变差.

中图分类号:

O484

孙成真;贾志刚;尚林;孙佩;余春燕;张华;李天保. 成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(8): 2123-2129.

SUN Cheng-zhen;JIA Zhi-gang;SHANG Lin;SUN Pei;YU Chun-yan;ZHANG Hua;LI Tian-bao. Effect of Nucleation Layer Temperature on the Crystal Quality of Undoped GaN Epitaxial Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(8): 2123-2129.

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