MOCVD生长AlN/GaN化学反应路径的量子化学研究
王宝良;左然;孟素慈;陈鹏
2015, 44(8):
2237-2244.
摘要
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计量指标
应用量子化学的密度泛函理论,对MOCVD生长GaN/AlN薄膜的反应路径进行理论计算和分析,特别是针对Ⅲ族TMX(X=Ga,Al)与V族NH3的反应路径与温度的关系进行研究.计算结果表明:当温度T≤473.15 K时,反应自由能△G<0,TMX与NH3自发生成配位加合物TMX∶ NH3;当T≥573.15 K时,△G>0,TMX∶ NH3将重新分解为TMX和NH3.在473.15 K≤T≤573.15 K区间,将存在△G=0,即加合反应达到平衡,反应为双向可逆.随着温度的升高,从加合物变为氨基物DMX∶ NH2的反应概率加大.TMX和MMX的直接热解反应均需要高温激活,而DMX变为MMX则较容易发生.当T>873.15 K时,DMGa变为MMGa的热解反应将自发进行;当T>1273.15 K时,DMAl变为MMAl的热解反应将自发进行.在自由基CH3参与下,TMX→DMX(X=Ga、Al)的能垒仅为TMX直接热解能垒的一半,约为30 ~ 40 kcal/mol;在自由基H参与下,TMGa和TMAl的热解反应能垒更低,约为16~ 20kcal/mol.因此,自由基H的产生将大大促进TMX的热解.