SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 1-9.

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SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展

郁万成;陈秀芳;胡小波;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东大学基本科研业务费资助项目自然科学专项(2014QY005)

Progress in Fabrication and Characterization of Quasi-free Standing Graphene on SiC Substrate

YU Wan-cheng;CHEN Xiu-fang;HU Xiao-bo;XU Xian-gang

Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 石墨烯材料自问世以来,一直处于学界研究的焦点,在微电子器件领域,通过SiC衬底制备的近自由态石墨烯具有较大的应用潜力.本文介绍了SiC热解法制备石墨烯的优势与劣势,说明了近自由态石墨烯制备的原因.综合阐述了目前制备近自由态石墨烯的常用方法,并对比了各种制备方法的特点.最后,概述了近自由态石墨烯的常用表征手段.

中图分类号:

TQ028.3+8

郁万成;陈秀芳;胡小波;徐现刚. SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 1-9.

YU Wan-cheng;CHEN Xiu-fang;HU Xiao-bo;XU Xian-gang. Progress in Fabrication and Characterization of Quasi-free Standing Graphene on SiC Substrate[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(1): 1-9.

SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展

Progress in Fabrication and Characterization of Quasi-free Standing Graphene on SiC Substrate

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