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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 133-137.

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铬锰复合掺杂对氧化铝陶瓷真空耐压性能的影响

陆聪;杨建;李晓云;丘泰   

  1. 南京工业大学材料科学与工程学院,南京,210009
  • 出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    江苏高校优势学科建设工程(PAPD,2014-37);长江学者和创新团队发展计划(PCSIRT)(IRT 1146,IRT 15R35)

Effect of Chromium and Manganese Co-doping on the Vacuum Voltage-Withstanding Properties of Alumina Ceramics

LU Cong;YANG Jian;LI Xiao-yun;QIU Tai   

  • Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 在掺有0.5wt; Cr2O3的95;氧化铝瓷基础上掺入0~1.5wt;的MnO2,研究了铬锰复合掺杂即MnO2掺入量对氧化铝陶瓷物相、显微结构、烧结性能、电阻率、介电常数和真空耐压性能的影响.结果表明,MnO2掺杂通过固溶进Al2O3晶格,促进了95;氧化铝陶瓷的烧结和晶粒生长,提高了显微结构的均匀性和致密性.随着MnO2掺入量的增加,材料的电阻率明显下降,介电常数略微减小.铬锰复合掺杂对氧化铝陶瓷真空耐压性能的影响与MnO2的掺入量密切相关.在掺0.5wt; Cr2O3的情况下,当MnO2掺入量为1~1.5wt;时,材料的闪络电压高于未掺杂MnO2的样品,掺1.5wt; MnO2样品的闪络电压最高,达54 kV/cm.

关键词: 氧化铝陶瓷;真空沿面闪络;复合掺杂;氧化锰

中图分类号: