B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 236-240.

B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响

黄建华;刘怀周

湖南理工职业技术学院太阳能工程系,湘潭,411104;湖南共创光伏科技有限公司,衡阳,421001

出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
2014年教育厅科学研究项目(14C0534)

Influence of B-doping Amount on Properties of Large-area ZnO Transparent Conduction Thin Film Grown by LPCVD Method

HUANG Jian-hua;LIU Huai-zhou

Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响.结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1 Ω/□,导电能力显著增强,同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在60～ 90 sccm之间.

中图分类号:

O484.1

黄建华;刘怀周. B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 236-240.

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