退火升温速率对LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (2): 424-429.

退火升温速率对LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响

姜涛;祝元坤;赵爽;李磊;余远根;王现英

上海理工大学材料科学与工程学院,上海,200093

出版日期:2016-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11402149);上海市自然科学基金(14ZR1428000);沪江学者基金(B14006)

Effect of Annealing Heating Rate on Structural and Electrical Properties of LaNiO3 Thin Films

JIANG Tao;ZHU Yuan-kun;ZHAO Shuang;LI Lei;YU Yuan-gen;WANG Xian-ying

Online:2016-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si(100)衬底上制备了镍酸镧(LaNiO3,LNO)薄膜,并利用XRD、SEM、AFM和半导体参数分析仪等研究了退火升温速率对LNO薄膜结构和电学性能的影响.结果表明,溶胶-凝胶法制备的LNO薄膜呈现赝立方钙钛矿型多晶结构,呈(110)择优取向生长;薄膜表面平整、均匀、无裂纹.随着退火升温速率的增加,LNO薄膜的晶粒尺寸先增大后减小;其电阻率先减小后增大.在退火升温速率为20℃/min时,LNO薄膜晶粒尺寸达到最大值94 nm,电阻率达到最小值9.5 x10-4 Ω·m.

中图分类号:

O484

姜涛;祝元坤;赵爽;李磊;余远根;王现英. 退火升温速率对LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(2): 424-429.

JIANG Tao;ZHU Yuan-kun;ZHAO Shuang;LI Lei;YU Yuan-gen;WANG Xian-ying. Effect of Annealing Heating Rate on Structural and Electrical Properties of LaNiO3 Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(2): 424-429.

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