含铅GaSb基半导体的热电输运特性

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (2): 491-496.

含铅GaSb基半导体的热电输运特性

王鸿翔;应鹏展;张钦祥;颜艳明;崔教林

黑龙江工业学院大功率电牵引采煤机重点实验室,鸡西158100;中国矿业大学材料科学与工程学院,徐州221116;中国矿业大学材料科学与工程学院,徐州,221116;黑龙江工业学院大功率电牵引采煤机重点实验室,鸡西,158100;中国矿业大学材料科学与工程学院,徐州221116;宁波工程学院材料学院,宁波315016;宁波工程学院材料学院,宁波,315016

出版日期:2016-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51171084);浙江省自然科学基金(LY14E010003);宁波市自然科学基金(2014A610016)

Thermoelectric Performance of Lead-containing GaSb-based Semiconductors

WANG Hong-xiang;YING Peng-zhan;ZHANG Qin-xiang;YAN Yan-ming;CUI Jiao-lin

Online:2016-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： GaSb是Ⅲ-Ⅴ族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用.研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pbsb-及施主缺陷PbCa+,但本征缺陷VGa3-和SbGa2+浓度减少.这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能.例如,掺杂0.25; Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的～5.04 ×1023m-3突增到9.50×1025 m-3;在867 K时,电导率由0.56×104 Ω-1·m-1增加到4.82×104 Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63 W· K-1·m-1下降到3.41 W· K-1·m-1.最大热电优值(ZT)为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍.

中图分类号:

TN304

王鸿翔;应鹏展;张钦祥;颜艳明;崔教林. 含铅GaSb基半导体的热电输运特性[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(2): 491-496.

WANG Hong-xiang;YING Peng-zhan;ZHANG Qin-xiang;YAN Yan-ming;CUI Jiao-lin. Thermoelectric Performance of Lead-containing GaSb-based Semiconductors[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(2): 491-496.

[1]	张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.
[2]	姜元希;刘南柳;张法碧;王琦;张国义. 氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2038-2045.
[3]	冯淦;孙永强;钱卫宁;陈志霞. 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2128-2138.
[4]	程红娟;金雷;武红磊;齐海涛;王增华;史月曾;张丽. AlN单晶生长行为研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2200-2205.
[5]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[6]	胡德巍;唐安江;唐石云;韦德举;田合鑫. 硅纳米线的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1743-1751.
[7]	刘欢;朱如忠;龚建超;王琦琨;付丹扬;雷丹;黄嘉丽;吴亮. 高温退火工艺对直流反应磁控溅射制备蓝宝石基氮化铝模板的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1541-1547.
[8]	周浩;徐俞;曹冰;徐科;王钦华. 石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 794-798.
[9]	刘兵;蒲红斌;赵然;赵子强;鲍慧强;李龙远;李晋;刘素娟. 高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570-575.
[10]	靳果;朱清智. p型G aSb窗口层在热光伏电池中的应用研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 638-645.
[11]	兰天平;边义午;周春锋;宋禹. VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 412-416.
[12]	何海英;冯秋浴;陈宇;杨至灏. Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 234-238.
[13]	王汐璆;庄文昌;张凯惠;付博;贾志泰;罗新泽. 化学气相沉积法制备氧化镓纳米线[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2174-2178.
[14]	贺广东;王琦琨;雷丹;龚建超;黄嘉丽;付丹扬;吴亮. 物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1604-1607.
[15]	牛楠楠;左然. AlN的MOCVD生长中表面吸附的量子化学研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(7): 1268-1274.