缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶ Sn薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (2): 558-562.

缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶ Sn薄膜性能的影响

范建彬;胡跃辉;陈义川;胡克艳

景德镇陶瓷学院机械电子工程学院,景德镇,333001

出版日期:2016-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
西省高等学校科技落地计划(KJLD12085);景德镇陶瓷学院研究生创新基金项目(YC2014-S315);江西省教育厅科技资助项目(GJJ12494,GJJ13643,GJJ13625)

Effect of Buffer Layer on the Properties of Sn-doped ZnO Prepared by Sol-Gel Method

FAN Jian-bin;HU Yue-hui;CHEN Yi-chun;HU Ke-yan

Online:2016-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶凝胶旋涂法,在石英衬底上引入缓冲层制备ZnO∶Sn薄膜.利用四探针电阻率测试仪、X射线衍射仪(XRD)、光致发光(PL)谱仪、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)等测试手段对薄膜的微观结构和光电性能进行表征.结果表明:所制样品均呈现六角纤锌矿晶体结构并沿C轴择优生长,薄膜的结晶质量和光电性能达到改善,适当厚度的缓冲层可以有效缓解薄膜和衬底间的晶格失配.随着缓冲层厚度的增加,薄膜的电导率以及在可见光范围的透过率先增大后减小.制备两层缓冲层薄膜性能最优,电阻率达到9.5×10-3 Ω·cm,可见光波段的平均透过率为91;.

中图分类号:

O484

范建彬;胡跃辉;陈义川;胡克艳. 缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶ Sn薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(2): 558-562.

FAN Jian-bin;HU Yue-hui;CHEN Yi-chun;HU Ke-yan. Effect of Buffer Layer on the Properties of Sn-doped ZnO Prepared by Sol-Gel Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(2): 558-562.

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