SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (4): 1012-1016.

SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响

祝祖送;张杰;尹训昌;易明芳;闻军

安庆师范学院物理与电气工程学院,安庆,246133

出版日期:2016-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11447197);安徽省教育厅资助项目(AQKJ2014B019);安徽省自然科学基金(1608085MA21)

Effects of SiCl4 Concentration on the Growth and Photoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films

ZHU Zu-song;ZHANG Jie;YIN Xun-chang;YI Ming-fang;WEN Jun

Online:2016-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了SiCl4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl4/H2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响.结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl4浓度小于65;时呈增大趋势,在SiCl4浓度大于65;时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl4浓度的变化.此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用.

中图分类号:

O484

祝祖送;张杰;尹训昌;易明芳;闻军. SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 1012-1016.

ZHU Zu-song;ZHANG Jie;YIN Xun-chang;YI Ming-fang;WEN Jun. Effects of SiCl4 Concentration on the Growth and Photoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(4): 1012-1016.

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