大尺寸高质量GaSb单晶研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (4): 901-905.

大尺寸高质量GaSb单晶研究

练小正;李璐杰;张志鹏;张颖武;程红娟;徐永宽

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220

出版日期:2016-04-15 发布日期:2021-01-20

Research of Large Size GaSb Single Crystal with High Quality

LIAN Xiao-zheng;LI Lu-jie;ZHANG Zhi-peng;ZHANG Ying-wu;CHENG Hong-juan;XU Yong-kuan

Online:2016-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27 arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3.

中图分类号:

练小正;李璐杰;张志鹏;张颖武;程红娟;徐永宽. 大尺寸高质量GaSb单晶研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 901-905.

LIAN Xiao-zheng;LI Lu-jie;ZHANG Zhi-peng;ZHANG Ying-wu;CHENG Hong-juan;XU Yong-kuan. Research of Large Size GaSb Single Crystal with High Quality[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(4): 901-905.

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