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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (6): 1504-1507.

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Sn掺杂Ⅰ型单晶笼合物Sr8Ga16Si30的能带及电子结构研究

程江;赵欣   

  1. 重庆文理学院新材料技术研究院,重庆,402160;中国民用航空飞行学院,广汉,618307
  • 出版日期:2016-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61505018);重庆文理学院项目(R2012CJ18&Z2013CJ02)

Energy Band and Electronic Structure of Sn Dopped Type Ⅰ Sr8Ga16Si30 Clathrates Monocrystal

CHENG Jiang;ZHAO Xin   

  • Online:2016-06-15 Published:2021-01-20

摘要: Ⅰ型Sr填充Si基单晶笼合物为具有较高热电性能的热电材料.基于第一性原理分别对Sr填充Si基笼合物Sr8Ga16Si30-xSnx(x=0、1、5、10)的能带结构和态密度进行计算,结果表明随着Sn原子含量的增加,笼合物晶格常数变大,带隙变小,Sn原子和Si原子的共同作用使得材料能带结构发生改变,Sn掺杂使得材料的带边结构不对称性加剧,表明其因具有较为优越的热电性能.

关键词: 热电材料;笼合物;能带结构;第一性原理

中图分类号: