人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (6): 1508-1513.
曾体贤;胡永琴;杨辉;王茂州;张敏;樊龙;吴卫东
ZENG Ti-xian;HU Yong-qin;YANG Hui;WANG Mao-zhou;ZHANG Min;FAN Long;WU Wei-dong
摘要: 利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质.计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 eV,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域展宽;电子能带结构的变化对ZnO的光学性质在低能产生了重要影响,主要表现在:介电函数虚部往低能方向移动且强度显著增强,使得ZnO表现出简并半导体的特性;复合缺陷导致ZnO晶体光学吸收边缘产生了红移,可见光区的吸收系数增大,透过率降低.
中图分类号: