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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (6): 1608-1610.

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AgGaS2多晶合成工艺改进研究

吴小娟;赵欣   

  1. 中国民用航空飞行学院,广汉,618307
  • 出版日期:2016-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    四川省科技厅基金(2015ZR0034);中国民用航空飞行学院科研基金(J2014-92)

Study on Improved Synthesis Technology of AgGaS2 Polycrystal

WU Xiao-juan;ZHAO Xin   

  • Online:2016-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS2多晶合成的质量和成功率.经过XRD、DSC测试分析,结果表明:经改进方法合成的AgGaS2多晶材料是高纯单相、均匀致密的,为高质量AgGaS2单晶的生长提供了优质原料.

关键词: 硫镓银;多晶合成;双温区

中图分类号: