Y3+掺杂BST/ZrO2复合薄膜的制备及介电性能研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (7): 1963-1969.

Y3+掺杂BST/ZrO2复合薄膜的制备及介电性能研究

姜楠;刘军;洪玮;张娟;吴伟骏;林鹏飞;骆英

江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013;江苏省高端结构材料重点实验室,镇江,212013;江苏大学土木工程与力学学院,镇江,212013

出版日期:2016-07-15 发布日期:2021-01-20

Study on Preparation and Dielectric Properties of Y3+-doped BST/ZrO2 Composite Thin Film

JIANG Nan;LIU Jun;HONG Wei;ZHANG Juan;WU Wei-jun;LIN Peng-fei;LUO Ying

Online:2016-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 运用溶胶-凝胶法在Si/SiO2/Ti/Pt基底上制备了掺杂不同量的Y3+的单层Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST)薄膜和并联结构的BST/ZrO2复合薄膜.研究发现:当BST溶胶中掺入了适量的Y3+后,制备的单层BST的表面形貌得到改善,介电性能提高;掺杂的Y3+为1mol;时单层BST薄膜介电性能最佳,介电常数为400.53;介电损耗为0.0125.BST/ZrO2复合薄膜的电容值相对于单层BST薄膜得到明显提高,当烧结温度为750℃时,BST/ZrO2复合薄膜综合介电性能最佳,介电常数790.12;介电损耗达到0.051.

中图分类号:

TN386

姜楠;刘军;洪玮;张娟;吴伟骏;林鹏飞;骆英. Y3+掺杂BST/ZrO2复合薄膜的制备及介电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(7): 1963-1969.

JIANG Nan;LIU Jun;HONG Wei;ZHANG Juan;WU Wei-jun;LIN Peng-fei;LUO Ying. Study on Preparation and Dielectric Properties of Y3+-doped BST/ZrO2 Composite Thin Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(7): 1963-1969.

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[2]	刘帅, 熊慧凡, 杨霞, 杨德仁, 皮孝东, 宋立辉. 电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1536-1541.
[3]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[4]	乔鹏飞, 刘康, 代兵, 刘本建, 张森, 张晓晖, 朱嘉琦. 终端金刚石能带结构与物理性能的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 945-959.
[5]	彭大青, 李忠辉, 蔡利康, 李传皓, 杨乾坤, 张东国, 罗伟科. 基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 746-752.
[6]	李姚, 郑子轩, 蒲红斌. 金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(2): 222-228.
[7]	柏松, 李士颜, 费晨曦, 刘强, 金晓行, 郝凤斌, 黄润华, 杨勇. 新一代SiC功率MOSFET器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2122-2127.
[8]	刘旭焱;刘赐德;屈重年;海静;卢志文;黄志祥. 纳米尺寸高k/Si1-xGex NMOS场效应管性能的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(12): 3656-3665.
[9]	于杰;王茺;杨洲;胡伟达;杨宇. 温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(5): 875-879.
[10]	刘保亭;武德起;闫正;乔晓东;赵庆勋;王英龙. 沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 276-279.
[11]	谢银飞, 何阳, 刘伟业, 徐文慧, 游天桂, 欧欣, 郭怀新, 孙华锐. 超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展[J]. 人工晶体学报, 0, (): 1-.
[12]	魏雨夕, 马昕宇, 江泽俊, 魏杰, 罗小蓉. 超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展 [J]. 人工晶体学报, 0, (): 1-.