MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (11): 2316-2321.

MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法

杨超普;方文卿;杨岚;刘彦峰;李春;阳帆;韩茜;张美丽

商洛学院化学工程与现代材料学院,商洛 726000;南昌大学材料科学与工程学院,南昌 330031;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,南昌,330047;商洛学院化学工程与现代材料学院,商洛,726000;南昌大学材料科学与工程学院,南昌 330031;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,南昌 330047

出版日期:2018-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项(2017YFB0403700);国家自然科学基金(61864008)

Measuring Method of In-situ Photoluminescence Spectra for MOCVD Epitaxy Growth

YANG Chao-pu;FANG Wen-qing;YANG Lan;LIU Yan-feng;LI Chun;YANG Fan;HAN Xi;ZHANG Mei-li

Online:2018-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量.利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN CCS型MOCVD反应室上实现了Si(111)衬底GaN基InGaN/GaN MQW外延生长过程原位PL谱测量.研究结果表明:该原位PL谱测量系统,能够实现激发光的导人、PL谱信号的收集、反射激光及杂散光的过滤;当温度降低至600℃以下时,MOCVD反应室内红外辐射对PL测量的影响可以忽略;该原位PL谱测量方法可推广至Al2O3衬底外延生长.该研究可为MOCVD原位PL谱测量设备开发提供参考.

中图分类号:

TN305
O43

杨超普;方文卿;杨岚;刘彦峰;李春;阳帆;韩茜;张美丽. MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(11): 2316-2321.

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