PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (2): 297-301.

PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响

翁秀章;周炳卿;谷鑫

内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022

出版日期:2018-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51262022)

Influence of PECVD Deposition Parameters on the Transition from Amorphous Silicon to Microcrystalline Silicon Films

WENG Xiu-zhang;ZHOU Bing-qing;GU Xin

Online:2018-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,以硅烷和氢气为反应气源,通过改变射频功率、硅烷浓度来制备氢化硅基薄膜材料.研究了沉积参数的变化对硅基薄膜材料微结构的影响.通过红外吸收谱、紫外可见光谱以及X射线衍射谱对样品材料进行表征.实验结果表明,随着射频功率的增加,薄膜中氢含量也相应地增大,而光学带隙表现出先增大后减小的规律.当硅烷浓度逐渐降低时,薄膜材料的光学带隙相应地降低,并从非晶硅薄膜逐渐向微晶硅薄膜材料转变,且薄膜材料在(111)方向的晶粒尺度达到了10.92 nm.实现了在高沉积压强、大射频功率、低硅烷浓度条件下可以有效优化改善硅基薄膜质量.

中图分类号:

O484

翁秀章;周炳卿;谷鑫. PECVD沉积参数对非晶硅向微晶硅薄膜转化的影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(2): 297-301.

WENG Xiu-zhang;ZHOU Bing-qing;GU Xin. Influence of PECVD Deposition Parameters on the Transition from Amorphous Silicon to Microcrystalline Silicon Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2018, 47(2): 297-301.

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