AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (4): 770-776.

AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究

覃佐燕;庄志贤;武红磊;郑瑞生;王科

深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060;深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060;深圳市统先科技股份有限公司,深圳518000

出版日期:2018-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11447029);深圳市科技计划项目(20160520174438578)

Research of Intelligent Control System for AlN Crystal PVT Growth Device

QIN Zuo-yan;ZHUANG Zhi-xian;WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;WANG Ke

Online:2018-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400 ℃的生长温度.结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究.首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作.

中图分类号:

TP273+.1

覃佐燕;庄志贤;武红磊;郑瑞生;王科. AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(4): 770-776.

QIN Zuo-yan;ZHUANG Zhi-xian;WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;WANG Ke. Research of Intelligent Control System for AlN Crystal PVT Growth Device[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(4): 770-776.