Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si3N4纳米线

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (4): 816-821.

Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si3N4纳米线

王秋实;谢永辉;王维龙;吴宛泽

渤海大学新能源学院,锦州,121013

出版日期:2018-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11504028);渤海大学研究生创新基金(YJC20170040)

Al Catalyst Assisted Systhesis of α-Si3N4Nanowires by Arc Discharge Method

WANG Qiu-shi;XIE Yong-hui;WANG Wei-long;WU Wan-ze

Online:2018-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si3N4纳米线.通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si3N4纳米线的形貌和组分进行表征与分析.TEM和SEM分析显示合成的α-Si3N4纳米线直径为30~100 nm,长达几十微米,其生长沿着α-Si3N4的[001]方向生长,生长机制气-液-固(VLS)机制所控制.α-Si3N4纳米线光致发光光谱(PL)表明其具有一宽的发光带,具有良好的发光性能.

中图分类号:

O469

王秋实;谢永辉;王维龙;吴宛泽. Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si3N4纳米线[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(4): 816-821.

WANG Qiu-shi;XIE Yong-hui;WANG Wei-long;WU Wan-ze. Al Catalyst Assisted Systhesis of α-Si3N4Nanowires by Arc Discharge Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(4): 816-821.

[1]	王云杰, 和志豪, 丁家福, 苏欣. X₂(PO₄)₂(X=Ba、Pb)和XPO₄(X=Y、Bi)中阳离子对结构框架影响及双折射率来源研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 85-94.
[2]	丁家福, 和志豪, 王云杰, 苏欣. 通过硫代调控Ga、In、Tl磷酸盐光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 95-106.
[3]	张盼, 庞国旺, 尹伟, 马亚斌, 张钧洲, 杨慧慧, 秦彦军. 高压下4H-SiC结构、电子和光学性质的理论研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2104-2112.
[4]	张好强, 曹幸飞, 吴昱鑫, 张舵, 侯锁霞. La掺杂WC(0001)/Co(111)界面结合强度、稳定性和电子结构的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2113-2123.
[5]	卫来, 庞国旺, 张文, 张丽丽, 黄以能. 外电场对ZnSe/石墨烯异质结肖特基调控的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2124-2130.
[6]	杨燕, 王献朗, 陈昊天, 卢浩, 佘世雄, 黄智昊. 二维金属有机框架电子性质的电场调控:第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1752-1758.
[7]	储冬冬, 杨志华, 潘世烈. 数据驱动的新型非线性光学材料理论设计研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1475-1493.
[8]	吴蕊, 胡洋, 唐荣芬, 阳倩, 王序, 吴怡逸, 聂登攀, 王环江. MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1608-1619.
[9]	莫秋燕, 欧满琳, 张颂, 荆涛, 吴家隐. VI族元素修饰对二维AlN电子性质影响的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1620-1628.
[10]	孙亮, 张钰, 王群. 休斯勒合金Mn₂LiGe块体和(001)表面的电子结构和磁性质[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1378-1385.
[11]	刘晓莹, 黄海深, 孙丽, 潘孟美, 尚真真. 二维MXene材料CrVCF₂的电子性质和磁性的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1386-1393.
[12]	陈继虎, 路亚妮. 粉体还原对硒化亚铜热电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1464-1470.
[13]	冷昊宁, 孙霄霄, 刘凤举, 赵祥敏. 高压下LiVO₃相变行为的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1222-1230.
[14]	李丽华, 周龙杰, 刘硕, 王航, 黄金亮. SnO₂(110)/FAPbBrI₂(001)界面电子结构与光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1239-1248.
[15]	和志豪, 苟杰, 王云杰, 齐亚杰, 丁家福, 张博, 赵星胜, 裴翊祯, 侯姝宇, 苏欣. Zn掺杂氮化硼的电子结构与光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1249-1256.