酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (6): 1280-1285.

酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究

魏顺勇;张志勇;杨辉;安辛友;张敏;曾体贤

西华师范大学物理与空间科学学院,南充,637002;中国科学院国家天文台,北京,100012

出版日期:2018-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(U1731123);教育部春晖计划(Z2016122)

Study on Polishing Process of CdSe Wave Plate under Acidic Conditions

WEI Shun-yong;ZHANG Zhi-yong;YANG Hui;AN Xin-you;ZHANG Min;ZENG Ti-xian

Online:2018-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用自然解理和X射线衍射仪对气相法制备的大尺寸CdSe单晶定向,并沿光轴方向切割出20 mm×20 mm ×3 mm的CdSe波片初胚.采用酸性化学机械抛光方法对波片初胚进行表面处理,将5;溴甲醇与W0.25(粒度为0.25 μm)的金刚石悬浮液按1:10的体积比混合并用盐酸调节抛光液的pH值.结果表明:当抛光液pH＝5时,样品表面平整划痕较少,粗糙度约为0.8 nm,平行度公差f＝0.00275 mm,样品的红外透过率在2-20 μm波段均达到65;-70;,其吸收系数在0.01～0.06 cm-1之间

中图分类号:

O786

魏顺勇;张志勇;杨辉;安辛友;张敏;曾体贤. 酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(6): 1280-1285.

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