基于温和等离子体技术的二硫化钨可控减薄

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (9): 1868-1872.

基于温和等离子体技术的二硫化钨可控减薄

冯少朋;肖少庆;南海燕;顾晓峰

江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122

出版日期:2018-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61404061,11704159);江苏省自然科学青年基金(BK20140168,BK20170167);中央高校基本科研业务费专项资金资助(JUSRP51726B)

Controllable Thinning of Tungsten Disulfide Based on Soft Plasma

FENG Shao-peng;XIAO Shao-qing;NAN Hai-yan;GU Xiao-feng

Online:2018-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 二硫化钨(WS2)作为二维过渡金属硫族化合物(TMDs)中的一员,具有独特的光学和电子性能,引起学术界和产业界的高度关注和广泛研究.当厚层WS2转变为少层甚至单层WS2时,其能带结构由间接带隙转为直接带隙,因此可用于光电探测器,和电致发光器件等.本文采用一种处于电容放电模式(E-mode)下的温和电感耦合等离子体对WS2进行减薄.通过使用不同的RF功率密度,厚层WS2可以被快速减薄,而少层WS2可以被逐层减薄.拉曼和荧光表明,随着WS 2样品被减薄,其荧光显著增强.本研究为对二维材料的可控减薄提供了新途径.

中图分类号:

TN304

冯少朋;肖少庆;南海燕;顾晓峰. 基于温和等离子体技术的二硫化钨可控减薄[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(9): 1868-1872.

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