摘要: 采用第一性原理计算N掺杂LaAlO3的稳定性、电子结构和磁学性质.计算结果表明:N掺杂LaAlO3的结构稳定;而且从生成焓数值看,替位掺杂比间隙掺杂结构更稳定.形成能计算结果表明,还原环境比氧化环境更适合N掺杂,并且在还原环境下,NH3作为N源生成替位掺杂的LaAlO3-x Nx的形成能最小,即最容易形成替位掺杂.N替代LaAlO3中的O原子和位于LaAlO3晶胞间隙均产生铁磁性,其磁性均源于掺杂N-2p电子与体系价带顶O-2p电子间的p-p耦合作用.
中图分类号:
李强;谭兴毅. N掺杂LaAlO3电子结构的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(1): 117-121.
LI Qiang;TAN Xing-yi. First-principles Study on Electronic Structure of N-doped LaAlO3[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(1): 117-121.