摘要： 通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga2 O3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga2 O3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga2O3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga2 O3体单晶特征峰峰值.同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律.
中图分类号:
程红娟;张胜男;练小正;金雷;徐永宽. β-Ga2O3体单晶X射线光电子能谱分析[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(1): 8-12.
CHENG Hong-juan;ZHANG Sheng-nan;LIAN Xiao-zheng;JIN Lei;XU Yong-kuan. X-Ray Photoelectron Spectroscopy Analysis of β-Ga2O3 Bulk Single Crystal[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(1): 8-12.
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